类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 45A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,22.5A |
功率(Pd) | 60W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.64nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STD45N10F7 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),其特性在功率控制和电子开关应用中极具优势。这款元件被广泛应用于工业电子、电源管理和电机驱动等领域,因其优异的导通特性和高效的散热能力而受到青睐。
STD45N10F7 的关键电气参数包括:
STD45N10F7 使用 DPAK 封装(TO-252-2),这种表面贴装型封装提供了一定的机械强度和良好的热性能,使其适合于自动化焊接和高密度电子板的应用。同时,DPAK 封装设计减少了电磁干扰和改善了信号完整性,是现代电子设计中对性能有高要求的理想选择。
该 MOSFET 的设计使其非常适合应用于如下领域:
STD45N10F7 的优异性能主要体现在其低导通电阻和快速开关特性上,这使得它能够迅速响应输入信号并在开关状态之间切换,减少了开关损耗。这对于高频应用尤其重要,因为它可以有效地提升系统整体效率,减少热量产生,从而延长设备寿命。此外,广泛的工作温度范围确保了在极端环境中的可靠操作,使其成为高要求工业和运输应用的理想选择。
作为一款高效率的 N 沟道 MOSFET,STD45N10F7 凭借其高电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,在现代电子设计领域内展现出优越性。无论是用于电源管理还是电机驱动,其性能均能满足甚至超越行业标准,成为设计师和工程师在选择功率开关元件时的优先选择。