STF10N80K5 产品实物图片
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STF10N80K5

商品编码: BM0000288407
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3 整包
包装 : 
管装
重量 : 
2.6g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 800V 9A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.85
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.85
--
1000+
¥5.65
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STF10N80K5参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA

STF10N80K5手册

STF10N80K5概述

STF10N80K5 产品概述

概述

STF10N80K5 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高压和大功率应用而设计。它具有 800V 的漏源电压(Vds),能够承受高达 9A 的连续漏极电流(Id),适合用于电源管理、开关电源、变频器及马达驱动器等各种应用场景。

主要特性

  • 漏源电压(Vdss): 800V
    STF10N80K5 的最大漏源电压为 800V,适合高压电路的设计,可以广泛应用于工业设备、电力电子以及家电等领域。

  • 连续漏极电流(Id): 9A @ 25°C
    此款 MOSFET 在 25°C 的环境温度下能够连续工作至 9A,适用于需要高电流驱动的应用。

  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 100µA
    标签的阈值电压使其能在适度的栅驱动电压下快速开启,增加了设计的灵活性。

  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 600mΩ @ 4.5A, 10V
    该特性使得在正常工作条件下的功耗降低,允许设计师在热管理上获得更好的性能。

  • 最大功率耗散 (PD): 30W @ Ta=25°C
    该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 30W,使其适用于高功率应用。设计时需注意散热,以确保元件在安全温度范围内运行。

  • 驱动电压 (Vgs): ±30V
    这种高的栅极电压可以实现高效的开关,同时为电路设计提供灵活性。

  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
    较宽的工作温度范围使得该器件适用于严酷环境的工业应用。

  • 封装类型: TO-220-3 整包
    TO-220 封装不仅便于安装,而且具备良好的散热能力,为高功率应用提供了必要的支持。

应用场景

STF10N80K5 适用于多种电力转换应用,包括:

  • 开关电源: 在开关电源中,MOSFET 决定了电源效率和稳定性,STF10N80K5 低导通电阻的特性可有效提升整体性能。

  • 电机驱动: 在电机控制和变频器中,该 MOSFET 以其高电流和高效率特别适合用作开关元件,以便提供平滑的马达控制。

  • 照明和高压灯驱动: 适用于高压气体放电灯及LED驱动电路,能够满足负载的高电压和电流需求。

  • 电解电容器的高频开关: 在电解电容器应用中,STF10N80K5 可用于高频开关电路,以提高效率和降低损耗。

小结

总的来说,STF10N80K5 是一款功能全面、性能优越的 N 沟道 MOSFET,具有高电压、高电流的稳健特性以及适用的宽广工作温度范围。凭借其低导通电阻的优势和高功率处理能力,该组件将在电力电子系统中发挥重要作用,是各种高效能设计的理想选择。