STF26NM60N

STF26NM60N 产品概述

基本信息：
STF26NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高压开关应用而设计，具有600V的漏源电压（Vdss）和最高20A的连续漏极电流（Id）。其封装形式为TO-220FP，这种封装不仅方便安装，而且良好的散热性能能够有效支持这一器件在高功率应用中的性能。

技术参数：

• 漏源电压（Vdss）： 600V
• 连续漏极电流（Id）： 25°C时最大20A
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 4V @ 250µA，适合多种控制电路应用
• 漏源导通电阻（Rds(on)）： 在10A，10V条件下为165mΩ，这意味着在正常工作条件下能有效减小能量损失
• 最大功率耗散（Pd）： 35W (在Tc=25°C时)，同样适用于高温工作环境
• 工作温度范围： 最高可达150°C，适合更为恶劣的环境
• 驱动电压（Vgs）： 最大±30V，提供足够的驱动余量
• 输入电容（Ciss）： 1800pF @ 50V，影响开关速度，与其他电容器件配合良好
• 栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V，优异的栅驱动性能，降低了高频操作中的损耗

应用领域：
STF26NM60N MOSFET适用于多种高压和高效率的应用场景，包括但不限于：

• 开关电源
• DC-DC转换器
• 电机驱动和控制电路
• 高频开关电路
• 太阳能逆变器及风能转换器
• 照明和其他电器控制系统

优点与特点：

1. 高电压耐受性： 600V的漏源电压使其能够在电力电子应用中广泛使用，特别是需要高电压的设备。
2. 低导通电阻： 如果工作在额定条件下，其导通电阻较低，能有效提高能效并减少发热。
3. 热稳定性： 通过设计与材料的选择，这款MOSFET在高温下仍能保持稳定的性能，非常适合要求严苛的应用环境。
4. 易于驱动： 其栅极阈值电压适中，标准的驱动电路即可控制，便利性较强。

总结：
STF26NM60N是一款性能优越的N沟道MOSFET，适合众多高压应用。凭借其高耐压、低导通损耗、良好的热管理特性以及适应恶劣环境的能力，使其成为电力电子设计中的理想选择。意法半导体作为全球知名的半导体制造商，凭借出色的工艺和技术，STF26NM60N MOSFET在市场中占据了重要的位置，并广受工程师和设计师的青睐。