类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 20A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 165mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 35W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息:
STF26NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高压开关应用而设计,具有600V的漏源电压(Vdss)和最高20A的连续漏极电流(Id)。其封装形式为TO-220FP,这种封装不仅方便安装,而且良好的散热性能能够有效支持这一器件在高功率应用中的性能。
技术参数:
应用领域:
STF26NM60N MOSFET适用于多种高压和高效率的应用场景,包括但不限于:
优点与特点:
总结:
STF26NM60N是一款性能优越的N沟道MOSFET,适合众多高压应用。凭借其高耐压、低导通损耗、良好的热管理特性以及适应恶劣环境的能力,使其成为电力电子设计中的理想选择。意法半导体作为全球知名的半导体制造商,凭借出色的工艺和技术,STF26NM60N MOSFET在市场中占据了重要的位置,并广受工程师和设计师的青睐。