类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@10V,1.25A |
功率(Pd) | 25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
STF3NK80Z 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为高压应用而设计。此元器件以其出色的电压和电流承受能力,在工业和消费类电子产品中广泛应用,适合用于开关电源、逆变器、电机驱动、照明控制等多种场景。
STF3NK80Z 采用高铁电材料经过优化的制造工艺,确保其在高频、高电压条件下的稳定性与高效性。以下是其主要特性与优势:
高压能力:高达800V的漏源电压使其在多个商业及工业环境中都具有极强的适应性,即使是在复杂的电气环境下,也能表现出优越的性能。
适中的持续电流:其连续漏极电流能力为2.5A,结合其优秀的热管理特性,使得STF3NK80Z非常适合电源调节、功率放大等应用。
低导通电阻:在1.25A电流下的导通电阻4.5Ω,使得该 MOSFET 在工作时具有更低的功率损耗,优化了效率并降低了发热,适合要求高效率的电子设计。
宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度范围,确保了在极端环境下的可靠性,使其在汽车、工业控制等恶劣场合中均能胜任。
STF3NK80Z MOSFET广泛应用于不同的电子设备,主要包括但不限于以下几个领域:
开关电源:在AC-DC或DC-DC电源转换器中,STF3NK80Z能够有效地控制电能的转化与分配,提升电源的稳定性和效率。
电机驱动:在电动机控制器中,它能够有效切换电流,确保电机的高效运转,是精细控制与调速的理想选择。
照明控制:在LED驱动器及调光电路中,可确保快速开关操作并保持光源的一致性,是现代照明解决方案的核心组件。
逆变器:在太阳能逆变器和其他可再生能源技术中,STF3NK80Z能保证高效的能量转换,支持可持续能源的发展与应用。
STF3NK80Z MOSFET 采用 TO-220 封装,适合通孔安装,具有良好的散热性能及机械强度。TO-220 封装的设计也使得其在电路板上的布局与连接更加方便,为设计工程师提供了极大的灵活性。
STF3NK80Z MOSFET凭借其高压能力、优良的电流承受能力和低导通电阻,在多种应用场景中均表现出色。意法半导体的专业制造工艺以及多年的行业经验,使得该 MOSFET 成为电子产品设计和实现高效能的可靠选择。在未来的电源管理及控制系统中,STF3NK80Z有望持续发挥重要作用,推动技术创新和应用发展。