STF3NK80Z

STF3NK80Z 产品概述

1. 产品简介

STF3NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高压应用而设计。此元器件以其出色的电压和电流承受能力，在工业和消费类电子产品中广泛应用，适合用于开关电源、逆变器、电机驱动、照明控制等多种场景。

2. 主要参数

• 漏源电压（Vdss）：800V
• 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A（Tc）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 50µA
• 漏源导通电阻（Rds(On)）：4.5Ω @ 1.25A, 10V
• 最大功率耗散：25W（Ta=25°C，Tc条件下）
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C
• 导电类型：N 通道 MOSFET
• 封装类型：TO-220-3

3. 特性与优势

STF3NK80Z 采用高铁电材料经过优化的制造工艺，确保其在高频、高电压条件下的稳定性与高效性。以下是其主要特性与优势：

• 高压能力：高达800V的漏源电压使其在多个商业及工业环境中都具有极强的适应性，即使是在复杂的电气环境下，也能表现出优越的性能。

• 适中的持续电流：其连续漏极电流能力为2.5A，结合其优秀的热管理特性，使得STF3NK80Z非常适合电源调节、功率放大等应用。

• 低导通电阻：在1.25A电流下的导通电阻4.5Ω，使得该 MOSFET 在工作时具有更低的功率损耗，优化了效率并降低了发热，适合要求高效率的电子设计。

• 宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度范围，确保了在极端环境下的可靠性，使其在汽车、工业控制等恶劣场合中均能胜任。

4. 应用场景

STF3NK80Z MOSFET广泛应用于不同的电子设备，主要包括但不限于以下几个领域：

• 开关电源：在AC-DC或DC-DC电源转换器中，STF3NK80Z能够有效地控制电能的转化与分配，提升电源的稳定性和效率。

• 电机驱动：在电动机控制器中，它能够有效切换电流，确保电机的高效运转，是精细控制与调速的理想选择。

• 照明控制：在LED驱动器及调光电路中，可确保快速开关操作并保持光源的一致性，是现代照明解决方案的核心组件。

• 逆变器：在太阳能逆变器和其他可再生能源技术中，STF3NK80Z能保证高效的能量转换，支持可持续能源的发展与应用。

5. 封装与安装

STF3NK80Z MOSFET 采用 TO-220 封装，适合通孔安装，具有良好的散热性能及机械强度。TO-220 封装的设计也使得其在电路板上的布局与连接更加方便，为设计工程师提供了极大的灵活性。

结论

STF3NK80Z MOSFET凭借其高压能力、优良的电流承受能力和低导通电阻，在多种应用场景中均表现出色。意法半导体的专业制造工艺以及多年的行业经验，使得该 MOSFET 成为电子产品设计和实现高效能的可靠选择。在未来的电源管理及控制系统中，STF3NK80Z有望持续发挥重要作用，推动技术创新和应用发展。