类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 315pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STP16NF06是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道MOSFET,具有60V的漏源电压(Vdss)和连续16A的漏极电流(Id),非常适用于电源管理、反向电流保护、高频开关电源及其他工业应用。其优良的开关特性和低的导通电阻,使其在各种电力电子转换器中表现出色。
电气性能:
功率处理:
宽工作温度范围:
封装形式:
STP16NF06因其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,广泛应用于以下领域:
STP16NF06的设计充分考虑了高效率与高性能相结合,较低的导通电阻和较高的电流处理能力使其在竞争同类产品中具有明显优势。此外,其宽广的工作温度范围及良好的散热性能确保了设备在严苛条件下的可靠性,增强了其在市场中的竞争力。
STP16NF06是意法半导体推出的一款性价比高,性能优越的N沟道MOSFET,具备多项先进特性,适用范围广泛,能够满足现代电源管理和工业控制的多样化需求。对于设计工程师而言,此款MOSFET不仅易于整合进各种电路中,还能在稳压、驱动、供电等多个方面提供理想的解决方案,是高性能电源设计中不可或缺的优选器件。