类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,27.5A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STP55NF06FP是一款高性能的N沟道MOSFET,专为中高功率应用而设计,具有较低的导通电阻和高电流承载能力。该器件采用TO-220封装,适合于通孔安装(THT),使其在热管理和散热性能上优于许多同类产品。该MOSFET的最大漏源极电压(Vdss)为60V,连续漏极电流(Id)可达到50A,提供稳定可靠的电气性能,适合电源开关、功率放大器及直流电机驱动等多种应用。
漏源极电压(Vdss)和电流特性:
导通电阻(Rds(on)):
栅源电压(Vgs)和栅极阈值电压(Vgs(th)):
温度特性:
栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss):
STP55NF06FP凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,广泛应用于各种高功率和高效能的电子电路中,包括但不限于:
STP55NF06FP由意法半导体(STMicroelectronics)制造,ST是一家全球知名的半导体公司,凭借其强大的研发能力和严谨的生产管理体系,提供高质量的电子元器件。ST的产品在市场上得到了广泛的认可,因其可靠性和创新性而备受青睐。
与其他厂商相比,STP55NF06FP不仅具备强大的电气特性和高温稳定性,同时还拥有竞争力的价格和可获得性,为设计工程师在电路设计和产品开发中提供了理想的解决方案。
STP55NF06FP是一款在多个应用领域表现出色的N沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻及广泛的温度适应性,成为高效能电源和驱动解决方案的优选元件。其稳定的性能及优良的可靠性,使得STP55NF06FP在快速发展的电子市场中赢得了良好的口碑。