类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 5.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,2.6A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 56nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.138nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品类型与应用
STP7NK80ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 沟道 MOSFET,适用于高电压和中等电流应用。其主要特点包括高达 800V 的漏源电压(Vdss)、连续漏极电流达 5.2A(Tc)以及在 25°C 工作环境下具有出色的功率处理能力(最大功率耗散 30W)。该产品广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、家电等电子设备中,能够有效满足高效率、高可靠性的需求。
电气性能参数
在电气性能方面,STP7NK80ZFP 的漏源电压(Vdss)为 800V,能满足高压应用的需求,同时其连续漏极电流(Id)为 5.2A,这使其能够处理不同类型的负载。栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4.5V @ 100µA,说明在相对较低的电压下即可实现导通,方便控制。此外,漏源导通电阻(Rds(on))在 2.6A 电流和 10V 栅压下为 1.8Ω,为用户提供较低的导通损耗,有助于提高电路效率。
驱动与频率特性
STP7NK80ZFP 的驱动电压范围为 10V,以确保在其最大导通阻抗下能够提供最优的性能。同时,其在 10V 下的栅极电荷(Qg)为 56nC,提供了较低的开关损耗,特别适合高频应用。此外,在不同 Id 和 Vgs 条件下的导通电阻,能够为设计人员在选型时提供更大的灵活性,便于实现不同电源转换效率的要求。
温度与功耗特性
该型号的工作温度范围较广,从 -55°C 到 150°C,适合各种工业和环境条件使用。其最大功率耗散为 30W(Tc),能够确保在高负载工作情况下稳定运行,降低因温升带来的故障风险。稳定的温度特性使其适用于严苛环境下的电气设备,对场效应管要求较高的绝缘和散热设计的应用尤为关键。
封装与安装
STP7NK80ZFP 采用 TO-220FP 封装,便于通孔安装。相较于其他封装类型,TO-220FP 提供更好的散热性能,使得器件在高功率领域中的应用更加可靠。该封装具有较大的表面积,有助于有效散热,并能在高功率操作下保持较低的工作温度。
总结
STP7NK80ZFP 是一款性能强大的 N 沟道 MOSFET,具备高电压、高电流、低导通电阻和良好的散热特性。这使其成为多种工业和消费类电子应用的理想选择,特别是需要高效能和高可靠性的电源管理系统。通过合理的设计选择,STP7NK80ZFP 可以有效提升电子电路的性能,降低能耗,并延长设备的服务寿命。对于设计师来说,选择合适的 MOSFET 是实现高效电源设计的关键,而 STP7NK80ZFP 则提供了优质的性能和可靠性,满足其在各类高压应用中的需求。