STP7NK80ZFP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP7NK80ZFP

商品编码: BM0000288443
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3 整包
包装 : 
管装
重量 : 
2.475g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 800V 5.2A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.47
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.47
--
1000+
¥4.29
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP7NK80ZFP参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)5.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V,2.6A
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)56nC@640V输入电容(Ciss@Vds)1.138nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@25V工作温度-55℃~+150℃

STP7NK80ZFP手册

STP7NK80ZFP概述

STP7NK80ZFP 产品概述

产品类型与应用

STP7NK80ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 沟道 MOSFET,适用于高电压和中等电流应用。其主要特点包括高达 800V 的漏源电压(Vdss)、连续漏极电流达 5.2A(Tc)以及在 25°C 工作环境下具有出色的功率处理能力(最大功率耗散 30W)。该产品广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、家电等电子设备中,能够有效满足高效率、高可靠性的需求。

电气性能参数

在电气性能方面,STP7NK80ZFP 的漏源电压(Vdss)为 800V,能满足高压应用的需求,同时其连续漏极电流(Id)为 5.2A,这使其能够处理不同类型的负载。栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4.5V @ 100µA,说明在相对较低的电压下即可实现导通,方便控制。此外,漏源导通电阻(Rds(on))在 2.6A 电流和 10V 栅压下为 1.8Ω,为用户提供较低的导通损耗,有助于提高电路效率。

驱动与频率特性

STP7NK80ZFP 的驱动电压范围为 10V,以确保在其最大导通阻抗下能够提供最优的性能。同时,其在 10V 下的栅极电荷(Qg)为 56nC,提供了较低的开关损耗,特别适合高频应用。此外,在不同 Id 和 Vgs 条件下的导通电阻,能够为设计人员在选型时提供更大的灵活性,便于实现不同电源转换效率的要求。

温度与功耗特性

该型号的工作温度范围较广,从 -55°C 到 150°C,适合各种工业和环境条件使用。其最大功率耗散为 30W(Tc),能够确保在高负载工作情况下稳定运行,降低因温升带来的故障风险。稳定的温度特性使其适用于严苛环境下的电气设备,对场效应管要求较高的绝缘和散热设计的应用尤为关键。

封装与安装

STP7NK80ZFP 采用 TO-220FP 封装,便于通孔安装。相较于其他封装类型,TO-220FP 提供更好的散热性能,使得器件在高功率领域中的应用更加可靠。该封装具有较大的表面积,有助于有效散热,并能在高功率操作下保持较低的工作温度。

总结

STP7NK80ZFP 是一款性能强大的 N 沟道 MOSFET,具备高电压、高电流、低导通电阻和良好的散热特性。这使其成为多种工业和消费类电子应用的理想选择,特别是需要高效能和高可靠性的电源管理系统。通过合理的设计选择,STP7NK80ZFP 可以有效提升电子电路的性能,降低能耗,并延长设备的服务寿命。对于设计师来说,选择合适的 MOSFET 是实现高效电源设计的关键,而 STP7NK80ZFP 则提供了优质的性能和可靠性,满足其在各类高压应用中的需求。