类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 110A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 3.75W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 240nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 9.2nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 760pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SUM110P06-08L-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET,由威世半导体(VISHAY)公司设计和制造。其主要特点包括高达60V的漏源电压(Vdss)和110A的连续漏极电流(Id),使其在多种应用场景中成为理想选择。该元器件采用TO-263 (D2Pak)封装,适合表面贴装技术(SMT),在电路板上节省空间并易于自动化焊接。
SUM110P06-08L-E3的设计考虑到了高效率和可靠性。其低导通电阻Rds(on)使得设备在高电流工作时能有效降低热量产生,从而提升整体系统的能效。在需要快速开关和较高电流的应用中,该型号的高输入电容(Ciss)最大值为9200pF,能够支持更高的驱动频率,以应对高动态负载变化。
此外,本MOSFET的栅极电荷(Qg)最大值为240nC @ 10V,确保了高开关频率的应用中,快速的控制响应。这一特点使得SUM110P06-08L-E3在开关控制、DC-DC转换、电机驱动等领域表现出色。
SUM110P06-08L-E3广泛应用于多个领域,包括但不限于:
该MOSFET采用TO-263 (D2Pak)封装,能够在高电流密度下保持良的散热性能。表面贴装型设计使其在现代电子设备中易于集成,适合大规模生产和使用。
SUM110P06-08L-E3 P沟道MOSFET是威世公司推出的高性能组件,凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,成为了工程师在电源和驱动设计中的首选元件。无论是提高功率转换效率,还是降低系统的热管理需求,该器件都为现代电子产品的发展提供了坚实的基础。其理想的工作参数和宽泛的应用范围使之在市场中独树一帜,是确保设计高效、可靠及经济性的重要组成部分。