SUM110P06-08L-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SUM110P06-08L-E3

商品编码: BM0000288470
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-263(D2Pak)
包装 : 
编带
重量 : 
2.066g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.75W;272W 60V 110A 1个P沟道 TO-263-2
库存 :
16803(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
10.92
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.92
--
800+
¥10.62
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

SUM110P06-08L-E3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)110A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,30A
功率(Pd)3.75W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)240nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9.2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)760pF@25V工作温度-55℃~+175℃

SUM110P06-08L-E3手册

SUM110P06-08L-E3概述

产品概述:SUM110P06-08L-E3 P沟道MOSFET

产品简介

SUM110P06-08L-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET,由威世半导体(VISHAY)公司设计和制造。其主要特点包括高达60V的漏源电压(Vdss)和110A的连续漏极电流(Id),使其在多种应用场景中成为理想选择。该元器件采用TO-263 (D2Pak)封装,适合表面贴装技术(SMT),在电路板上节省空间并易于自动化焊接。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):110A(在25°C时)
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):在20A和4.5V时,导通电阻为10.5mΩ,表明该器件在工作时具有极低的损耗。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):3V @ 250µA,适合低电压驱动条件。
  • 最大功率耗散:在环境温度25°C时,最大功率耗散为272W,在结温下最大为3.75W,保证MOSFET在合理的工作温度范围内。
  • 工作温度范围:-55°C至175°C,适用于严酷环境。

性能优势

SUM110P06-08L-E3的设计考虑到了高效率和可靠性。其低导通电阻Rds(on)使得设备在高电流工作时能有效降低热量产生,从而提升整体系统的能效。在需要快速开关和较高电流的应用中,该型号的高输入电容(Ciss)最大值为9200pF,能够支持更高的驱动频率,以应对高动态负载变化。

此外,本MOSFET的栅极电荷(Qg)最大值为240nC @ 10V,确保了高开关频率的应用中,快速的控制响应。这一特点使得SUM110P06-08L-E3在开关控制、DC-DC转换、电机驱动等领域表现出色。

应用领域

SUM110P06-08L-E3广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)、以及功率因数校正(PFC)等。
  • 电机驱动:适合电动机控制及驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
  • 汽车电子:由于其宽工作温度范围,适合用于汽车领域的应用,比如电动汽车、充电桩及各种汽车控制模块。
  • 工业自动化:可用于工业设备的高功率开关和控制,为工厂的自动化升级提供支持。

封装和安装

该MOSFET采用TO-263 (D2Pak)封装,能够在高电流密度下保持良的散热性能。表面贴装型设计使其在现代电子设备中易于集成,适合大规模生产和使用。

总结

SUM110P06-08L-E3 P沟道MOSFET是威世公司推出的高性能组件,凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,成为了工程师在电源和驱动设计中的首选元件。无论是提高功率转换效率,还是降低系统的热管理需求,该器件都为现代电子产品的发展提供了坚实的基础。其理想的工作参数和宽泛的应用范围使之在市场中独树一帜,是确保设计高效、可靠及经济性的重要组成部分。