类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 17.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 97nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 11.1nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 326pF@50V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SUM90P10-19L-E3 是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)推出。该产品专为高电压和高电流应用设计,具有优良的热性能和可靠性,适用于各种电子设备和电气系统的开关和放大功能。
电压和电流规格:
阈值电压与导通电阻:
功率耗散能力:
频率特性和开关性能:
工作温度范围:
封装类型:
SUM90P10-19L-E3适用于多个领域,包括但不限于:
SUM90P10-19L-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性和热管理能力,在各种高电压和高电流的应用中表现出色。它的低导通电阻和宽工作温度范围使其成为现代电源设计中的理想选择。无论是在工业领域还是消费电子产品中,VISHAY的SUM90P10-19L-E3都能够为设计师提供所需的灵活性和性能,推动更高效、可靠的电子系统的开发与应用。