类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 580mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 51W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.367nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 14pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SVF12N60F 产品概述
SVF12N60F 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,由士兰微(Silan)生产,属于 TO-220F 封装类型。这款器件设计用于高压和高电流的应用,其优秀的电气性能使其在各种电子电路中得到广泛应用,包括开关电源、逆变器、电机驱动和其他高效能电源管理系统。
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 12A (在 25°C 时)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 750mΩ @ 6A, 10V
最大功率耗散: 51W (在 Ta=25°C 时)
SVF12N60F 采用 TO-220F 塑封封装,适合快速散热设计。其引脚布局设计合理,便于与印刷电路板(PCB)连接,提供了良好的散热路径。这使得该 MOSFET 在使用时能够更高效地释放产生的热量,从而提高了设备的可靠性和稳定性。
SVF12N60F 并不是仅限于单一的应用领域,其灵活的性能使之广泛适用于如下一些领域:
开关电源:可以在各种电源转换器中作为开关元件,用于调节输出电压和电流。
逆变器:在将直流电(DC)转换为交流电(AC)的过程中,SVF12N60F 可作为主要的开关元件,提升系统效率。
电机驱动:在驱动直流电机和步进电机方面,其高电流承载能力及低导通电阻的特性有效提高了驱动器的性能。
LED 驱动:能够用于 LED 照明系统的驱动电路中,实现高效率的电源管理。
电力转换系统:在电力电子设备中可用于保护和控制电路,满足系统高可靠性和长寿命的要求。
SVF12N60F 是一款高效能、高稳定性的 N 沟道 MOSFET,具有较高的漏源电压和连续电流承载能力,适合多种高性能电源管理应用。其低导通电阻和优良的功率耗散特性,使其在各类电路设计中都具备了极好的表现和竞争力。选择 SVF12N60F 将为电子设计提供更高的灵活性和性能保障,是各类电源和驱动电路中不可或缺的重要元件。