可控硅类型 | 1个双向可控硅 | 门极触发电压(Vgt) | 1.3V |
保持电流(Ih) | 35mA | 断态峰值电压(Vdrm) | 600V |
门极触发电流(Igt) | 35mA | 通态峰值电压(Vtm) | 1.56V |
浪涌电流(Itsm@f) | 30A@60Hz | 门极平均耗散功率(PG(AV)) | 1W |
通态RMS电流(It(rms)) | 4A | 工作温度 | -40℃~+125℃ |
T435-600B-TR是一款来自意法半导体(STMicroelectronics)的高性能双向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR),专为各种电力控制应用设计。该器件具备优良的电气性能和广泛的应用能力,在电源控制、照明调光、电机控制以及工业自动化等领域展现了极大的价值。
T435-600B-TR的工作温度范围为-40°C至150°C,这种宽广的温度范围使其适合在各种环境下工作,包括极端气候条件,确保产品的可靠性与持续性。其设计还取决于在适当的散热条件下运行,以优化性能并延长使用寿命。
T435-600B-TR采用TO-252封装(DPAK),这种封装形式支持表面贴装型技术,具有优良的散热效果和易于自动化焊接的特性,能够有效节省电路板空间,降低生产成本。封装外壳设置为SC-63型,确保器件在安装后能保持稳定的电性能。
T435-600B-TR广泛应用于:
意法半导体凭借其在半导体行业的领先地位,T435-600B-TR提供了高质量、高可靠性的解决方案。其性能与经济性兼具,非常适合在现代电子设计中的多种应用,尤其在要求效率、耐久性和质量控制的场景下表现突出。
总体来看,T435-600B-TR是一款高效能的双向可控硅,其核心优势在于高电流承载能力和良好的温度适应性,使其成为多种电子应用的理想选择。无论是在新产品开发还是现有产品的升级中,T435-600B-TR均能够带来显著的性能提升,帮助设计者实现更为高效、可靠的控制解决方案。