TN2404K-T1-E3 产品实物图片
TN2404K-T1-E3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

TN2404K-T1-E3

商品编码: BM0000288516
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 360mW 240V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.49
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.49
--
3000+
¥2.38
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

TN2404K-T1-E3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)240V
连续漏极电流(Id)200mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4Ω@10V,0.2A
功率(Pd)230mW阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.87nC@10V工作温度-55℃~+150℃

TN2404K-T1-E3手册

TN2404K-T1-E3概述

产品概述:TN2404K-T1-E3 MOSFET

一、引言

TN2404K-T1-E3是由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)推出的一款高性能N通道MOSFET(场效应管)。其主要应用于高压和低功耗电路,尤其适合用于开关电源、直流-直流转换器以及其他需要高效能和稳定性的新型电子设计。本文将详细介绍该元器件的基本参数、性能特点、应用领域及其优势。

二、产品参数

  1. 基本电气特性

    • 漏源电压(Vdss): 240V
    • 连续漏极电流(Id)@25°C: 200mA
    • 漏极导通电阻(Rds(on): 最大4Ω @ 300mA,10V
    • 栅源极阈值电压(Vgs(th): 最大2V @ 250µA
    • 最大功率耗散: 360mW(在环境温度25°C时)
    • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  2. 驱动特性

    • 驱动电压: 2.5V(最小Rds(on)),10V
    • 栅极电荷(Qg): 最大8nC @ 10V
    • 最大栅源电压(Vgs): ±20V
  3. 封装信息

    • 封装类型: SOT-23-3(TO-236)
    • 安装方式: 表面贴装型
    • 封装外壳: SC-59,SOT-23-3

三、性能特点

TN2404K-T1-E3具有诸多优越性能,使其在众多应用中表现出色。首先,其240V的高漏源电压能力,能够满足各种高电压应用的需求,其200mA的连续漏极电流保证了在各种工作条件下的稳定性。同时,该元器件的漏极导通电阻在4Ω的范围内,对提升转换效率、降低损耗具有积极作用。此外,低阈值电压与适中的驱动电压,使其在驱动电路时对外部控制电路的要求降低,便于集成。

四、应用领域

TN2404K-T1-E3的应用场景广泛,尤其在以下几个领域中表现突出:

  1. 开关电源: 由于其高电压和电流能力,非常适合用作开关元件,在AC/DC或DC/DC转换器中管理电源。

  2. 电子驱动: 在电机驱动、继电器驱动等电子控制中,能够有效控制电流流向,提升系统的效率和响应速度。

  3. 电池管理系统: 在各类电池充电器和管理器中,TN2404K-T1-E3可用于实现精准的电流和电压控制,确保电池的安全使用。

  4. LED驱动器: 在LED照明技术中,作为开关管使用,能够提升LED的工作效率及延长其使用寿命。

五、优势与市场竞争力

TN2404K-T1-E3结合了VISHAY卓越的制造工艺与设计理念,成为市场上值得信赖的产品。其主要优势包括:

  • 高功率密度: 适应高电流应用,并在较小的封装中提供高可靠性。
  • 良好的热性能: 较宽的工作温度范围使其适用于更苛刻的环境。
  • 集成简便: SOT-23的封装形式,便于在各类PCB设计中实现轻松集成和布局。

六、总结

TN2404K-T1-E3是一款兼具高压、高效能的N通道MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,成为众多电气工程师与设计师的首选产品。无论是在开关电源、电子驱动还是电池管理系统中,TN2404K-T1-E3均能提供卓越的性能,为现代电子设计提供强有力的支持。通过其合理的价位与可靠的质量,TN2404K-T1-E3在市场竞争中保持着吸引力,是追求高效电路解决方案的理想选择。