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ZVNL110GTA
- 商品编码： BM0000288589复制
- 品牌： DIODES(美台)复制
- 封装： SOT-223复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.225g复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 1.1W 100V 600mA 1个N沟道复制
ZVNL110GTA参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V；4.5Ω@5V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 47pF |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
ZVNL110GTA手册
ZVNL110GTA概述
ZVNL110GTA 产品概述
产品简介
ZVNL110GTA 是一种高性能的 N 沟道场效应管（MOSFET），由著名半导体制造商 DIODES 提供。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，常用的 SOT-223 封装形式使其适合在现代电子设备中进行紧凑布局。其主要特性包括最大漏极电流 600mA、漏源电压（Vdss）高达 100V，以及最大功率耗散能力达到 1.1W，广泛应用于电源管理、开关电路和信号调理等多个领域。
主要参数
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 漏极电流 (Id): 600mA（在 25°C 环境温度下）
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 3Ω（在 10V Vgs 和 500mA Id 条件下）
- 功率耗散 (Pd): 最大 1.1W
- 输入电容 (Ciss): 最大 75pF（在 25V 条件下）
- Vgs 最大值: ±20V
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.5V（在 1mA 条件下）
- 驱动电压: 最小 5V，最大 10V
- 封装类型: SOT-223
性能特点
ZVNL110GTA 的导通电阻性能在低电压驱动时也表现优秀。它的最大 Rds(on) 可在 10V 的驱动条件下达到最小值，为应用提供了更高的工作效率和更低的热量产生。这使其非常适用于高效的开关电源和线性稳压器的设计。通过控制 Rds(on)，设计者能够减少在电流通过时的功率损耗，从而提高整个电路的效能及可靠性。
工作温度范围广泛
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适用于在极端温度环境中进行可靠的应用。无论是高温还是低温环境，ZVNL110GTA 都能确保稳定的性能和长寿命，广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
应用领域
ZVNL110GTA 适合多种应用，包括但不限于：
- 电源管理: 可用于高效的 DC-DC 转换器和开关电源中，以实现对电源的精确控制。
- 驱动电路: 在电机驱动、继电器驱动和其他负载控制中，可以作为开关元件使用。
- 信号调理: 可以用于音频和视频信号的切换，保证信号的完整性和清晰度。
设计灵活性
ZVNL110GTA 封装为 SOT-223，这种紧凑设计适合于高密度的印刷电路板（PCB）布局。这使得设计师在产品设计的灵活性和空间利用方面有了更多选择。该 MOSFET 在 PCB 上的置放不会占用过多的空间，因此非常适合小型设备和集成电路的开发。
总结
ZVNL110GTA 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，凭借其优秀的电气性能和广泛的应用范围，非常适合现代电子设备的需求。无论是在成本效益、功率效率还是温度适应性方面，该产品均表现出色，让设计师在进行新产品开发时有更多的选择和便利。由于其广泛的应用前景和卓越的性能，ZVNL110GTA 将在电源管理和驱动电路中发挥重要作用。