类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@10V,1.4A |
功率(Pd) | 625mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 206pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 49.2pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP3A13FTA 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,专为广泛的电子电路应用而设计。作为一种金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),本产品在低电压和低功耗的条件下表现出色,适合用于负载开关、功率放大、电源管理等应用。
ZXMP3A13FTA 的典型参数包括:
ZXMP3A13FTA 的封装类型为 SOT-23-3(TO-236-3,SC-59),这种小型表面贴装封装旨在节省空间,适合用于紧凑型电子设备中。它的高集成度使其在各类电子产品中易于设计和实施,特别是在便携式设备和消费电子领域。
ZXMP3A13FTA 被广泛应用于以下领域:
ZXMP3A13FTA 以其卓越的电气性能和灵活的应用性质,为多种电子设计提供了强有力的支持。其低导通电阻、宽工作温度范围及小巧的封装,使其成为众多电子工程师、设计师理想的选择。无论是在工业、消费电子还是新兴科技应用场景中,ZXMP3A13FTA 都能够提供高效、可靠的解决方案。