漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.4A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 210mΩ @ 1.4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 625mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 210 毫欧 @ 1.4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.4nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 206pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@10V,1.4A |
功率(Pd) | 625mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 206pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 49.2pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP3A13FTA 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,专为广泛的电子电路应用而设计。作为一种金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),本产品在低电压和低功耗的条件下表现出色,适合用于负载开关、功率放大、电源管理等应用。
ZXMP3A13FTA 的典型参数包括:
ZXMP3A13FTA 的封装类型为 SOT-23-3(TO-236-3,SC-59),这种小型表面贴装封装旨在节省空间,适合用于紧凑型电子设备中。它的高集成度使其在各类电子产品中易于设计和实施,特别是在便携式设备和消费电子领域。
ZXMP3A13FTA 被广泛应用于以下领域:
ZXMP3A13FTA 以其卓越的电气性能和灵活的应用性质,为多种电子设计提供了强有力的支持。其低导通电阻、宽工作温度范围及小巧的封装,使其成为众多电子工程师、设计师理想的选择。无论是在工业、消费电子还是新兴科技应用场景中,ZXMP3A13FTA 都能够提供高效、可靠的解决方案。