类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 250V |
连续漏极电流(Id) | 44A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V,26A |
功率(Pd) | 310W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.56nF@25V |
工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
IRFP4229PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电源管理及高频开关电路中。采用先进的金属氧化物半导体技术,这款 MOSFET 具有卓越的电导通能力和热性能,非常适合高效率应用。
电压和电流承受能力:
低导通电阻:
驱动和栅极性能:
封装特性:
工作环境: -工作温度范围从 -40°C 到 +175°C,能够在严苛环境下稳定工作,适应高温和冷却条件变化大的场合。这样的热性能适合于高压逆变器、电动汽车、可再生能源装置等应用。
IRFP4229PBF 适用于多个领域,包括但不限于:
IRFP4229PBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,结合了高电压、高电流、高导通能力以及良好的热特性,适合各种工业和商用电力电子应用。其 TO-247AC 封装的设计使其在高温和重负载条件下也能优异工作,是现代电力电子设计中理想的选择。无论是在开关电源、逆变器,还是电力管理和电机驱动领域,IRFP4229PBF 都能提供可靠的性能和优秀的效率。