
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 晶体管类型 | NPN |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输出电压(VO(on)) | 300mV |
| 输入电阻 | 2.2kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
DDTD123TC-7-F 是一款高性能的 NPN 预偏置数字晶体管,封装采用 SOT-23 类型,具有优秀的电气特性,适用于各种电子电路的信号放大和开关应用。作为美台 DIODES 品牌的一员,该产品在业界享有良好的声誉,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域。
电流和电压特性:
增益和饱和压降:
温度和功率特性:
高频性能:
安装与封装:
DDTD123TC-7-F 产品特别适用于以下几种应用场景:
DDTD123TC-7-F 是一款高效、可靠、与众不同的 NPN 预偏置数字晶体管,具备杰出的电气性能以及广泛的应用潜力。其适合高频、高效能的特点使其成为现代电子电路设计中的理想选择。美台 DIODES 品牌作为该型号的制造商,提供了稳定的生产和供应保障,确保用户在实际应用中能够取得满意的性能表现。无论是在日常消费电子还是工业设备中,DDTD123TC-7-F 都是提升产品性能的可靠选择。