放大器数 | 双路 | 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 32V |
增益带宽积(GBP) | 700kHz | 输入失调电压(Vos) | 3mV |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 7uV/℃ | 压摆率(SR) | 300V/ms |
输入偏置电流(Ib) | 300nA | 输入失调电流(Ios) | 2nA |
噪声密度(eN) | 40nV/√Hz@1kHz | 共模抑制比(CMRR) | 80dB |
输入失调电流温漂(Ios TC) | 10pA/℃ | 输出电流 | 30mA |
工作温度 | -25℃~+85℃ | 单电源 | 3V~32V |
双电源(Vee~Vcc) | 1.5V~16V;-16V~-1.5V |
LM258DR 是一款高性能的双路运算放大器,广泛应用于各种电子设备中,适用于需要高增益和高输入阻抗的信号处理应用。由德州仪器(Texas Instruments)制造,LM258DR 的设计充分考虑了现代电子产品对功耗、体积及工作温度范围的严格要求,使其成为理想的解决方案。
LM258DR 在一系列重要参数上表现出色,具体如下:
LM258DR 采用了表面贴装型的 8-SOIC 封装,体积小巧,适合空间受限的应用。其设计考虑了自动化焊接及组装工艺,便于大规模生产和集成至复杂电路中。
LM258DR 运算放大器广泛应用于各类电子产品,如:
LM258DR 的多项性能优势使其在市场上竞争力十足:
LM258DR 运算放大器凭借其出色的电气性能、灵活的应用领域和优越的性价比,成为众多电子工程师和设计师的首选。无论是在现代嵌入式系统、音频设备,还是在复杂的传感器布局中,LM258DR 都表现出了卓越的性能,充分满足了当今市场对高品质电子元器件的需求。对于需要高增益、低功耗和可靠性的通用放大器解决方案,LM258DR 绝对是一个值得推荐的选择。