类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,8A |
功率(Pd) | 1.46W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.7nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 798pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 122pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN4800LSSL-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由美台(DIODES)公司制造。该器件采用了 8-SOIC 封装,具有紧凑的尺寸和卓越的电气特性,广泛应用于各种电子设备中的开关电路和功率管理应用。其设计旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和高可靠性的需求。
DMN4800LSSL-13 的主要电气参数包括:
DMN4800LSSL-13 具备广泛的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,适应严苛工作环境条件,确保在高温和低温条件下仍能稳定工作。其最大功率耗散能力为 1.46W,使得该器件非常适合于需要小型化和高散热能力的应用场景。
该器件采用 8-SOIC(小型外形集成电路)封装,封装尺寸为 0.154"(3.9mm 宽),便于表面贴装(SMD)。该设计在节省空间的前提下,提供了优良的散热性能,适合于各种电子设备的主板和子板设计。
DMN4800LSSL-13 N 通道 MOSFET 广泛应用于以下领域:
DMN4800LSSL-13 是一款高效、稳定的小型化 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气性能和可靠性,成为当今各种电子设备中不可或缺的开关元件。无论是在工业设备、消费电子还是电源管理领域,这款 MOSFET 均可为设计人员提供良好的选择。其优秀的热管理特性和宽广的工作温度范围,使其在多种应用场合中展现出色的表现,是追求性能和耐用性的理想选择。