类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@600mA,4.5V |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 56pF@16V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
概述 DMN2450UFB4-7B是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子电路及应用。该器件通过其优越的电气特性、高温工作范围和小型封装设计,使其在各种功率管理、开关和放大应用中表现出色。DMN2450UFB4-7B的主要参数包括20V的漏源电压(Vdss)、1A的连续漏极电流(Id)、最大500mW的功耗和工作温度范围为-55°C到150°C,从而保证了其在广泛的环境下可靠运行。
电气特性 DMN2450UFB4-7B的电气特性使其适合于低功耗和高效率电路设计。其最大导通电阻(Rds On)为400毫欧,适用于在4.5V Vgs(栅源电压)时,600mA漏极电流的条件下。所需的驱动电压较低,最小驱动电压为1.8V,同时最大驱动电压可达4.5V。这使得在不同工作状态下,该器件具有出色的切换速度和系统效率,尤其在需要快速开关的应用场景中表现优异。
此器件的阈值电压(Vgs(th))为900mV @ 250µA,确保在所需的低栅电压下即可启动,这对于低电压操作的电路设计非常重要。此外,最大栅极电荷(Qg)为1.3nC @ 10V,意味着其在高频应用中具有较高的响应能力和效率。
封装与安装 DMN2450UFB4-7B采用X2-DFN1006-3封装,这是一种表面贴装型(SMD)设计,具有小巧的体积和优良的散热性能。该封装的尺寸为1.0mm x 0.6mm,适合于密集的PCB设计和空间受限的应用环境。通过表面贴装,安装过程更为简便,可以大幅度减少生产过程中的人力成本与时间。
工作温度与功率性能 DMN2450UFB4-7B具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,适合在严格温度条件下工作的场合。最大功率耗散达到500mW,确保在较高负载下使用的可靠性,适合于电池供电的便携式设备以及高效能的功率转换器。
应用领域 凭借其优良的电气特性,DMN2450UFB4-7B可广泛应用于以下场合:
总结 DMN2450UFB4-7B是一款高效、可靠的N通道MOSFET,通过其卓越的电气性能和紧凑的封装尺寸,满足现代电子设计对高性能和小型化的需求。它的应用范围覆盖广泛,能够满足多种工业、消费类及汽车电子应用的需求,是理想的选择。