类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@2.5V,2A |
功率(Pd) | 770mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 465pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 43.8pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN3065LW-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 SOT-323 封装,适用于各种中低功率的开关应用。本产品由知名电子元件供应商 DIODES(美台)提供,设计用于满足快速响应、低导通损耗及良好的热性能需求。DMN3065LW-7 的电气特性使其非常适合在移动设备、工业控制、DC-DC 转换器及其他需要高效电源管理的场景中应用。
DMN3065LW-7 的一些主要性能参数如下:
DMN3065LW-7 采用 SOT-323(SC-70)封装,包括三个引脚,设计为表面贴装型,便于与各种其他表面贴装组件共同集成。其小巧的体积使其非常适合空间有限的应用,如便携式电子设备和模块化电路设计。
应用场景包括:
DMN3065LW-7 由于其出色的电气特性、宽广的工作温度范围及紧凑的封装,使其成为在多个电子应用中的理想选择。无论是作为电源管理方案的一部分,还是在其他电路中的开关应用,DMN3065LW-7 都能以其可靠性和高效性能,满足设计的各种需求。其适应性强的特性,特别在现代电子产品中,提供了更加灵活的设计方案。在选择中低功率 MOSFET 时,DMN3065LW-7 是一个可靠的选择。