MMST2222A-7-F 产品实物图片
MMST2222A-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMST2222A-7-F

商品编码: BM0000000555
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 40V 600mA NPN SOT-323-3
库存 :
2815(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.116
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.116
--
3000+
¥0.092
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMST2222A-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,10V特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@150mA,15mA
工作温度-55℃~+150℃

MMST2222A-7-F手册

MMST2222A-7-F概述

产品概述:MMST2222A-7-F NPN晶体管

引言

MMST2222A-7-F是一款高性能的NPN型三极管,专为广泛的电子应用设计。作为一种表面贴装型(SMD)元件,它在信号放大、开关控制和其他基础电路中展现出优异的性能。本产品由DIODES(美台)品牌制造,以其可靠的质量和高性价比著称。以下将详细介绍MMST2222A-7-F的各项关键规格及其应用领域。

主要特点

  • 晶体管类型:NPN,适合用于低电压电路和开关应用。
  • 集电极电流(Ic):最大工作电流为600mA,足以满足多种中小功率应用需求。
  • 集射极击穿电压(Vce(max)):最大耐压40V,为设备提供了良好的保护能力,使其在高电压环境下仍能稳定工作。
  • 饱和压降:在Ic为50mA及500mA时,Vce的饱和压降最大只为1V,确保有效减少功率损耗,提高电路的整体效率。
  • 截止电流(ICBO):在集电极截止状态下,漏电流可低至10nA,显示出该器件在非工作状态下的优越性能,减少了功耗。
  • 直流电流增益(hFE):在Ic为150mA和Vce为10V时,hFE的最小值为100,确保了放大功能的高效性,适用于各种信号处理应用。
  • 功率额定:最大功率为200mW,适应多种功率级别的应用场景。
  • 跃迁频率:高达300MHz,使其适用于射频(RF)信号处理。
  • 工作温度:广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,适合不同环境条件下的应用需求。
  • 封装类型:SOT-323,表面贴装设计,便于自动化生产和紧凑型电路设计。

应用场景

MMST2222A-7-F广泛应用于电子电路的多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:作为开关元件,控制电流与电压的流动,广泛应用于电源转换器和适配器。
  2. 信号放大:在各类音频及视频设备中,作为信号放大器增强信号强度。
  3. 线性放大电路:适用于音频放大器和无线电发射机等应用。
  4. 射频电路:由于其高跃迁频率特点,适合于高频信号的放大与处理。
  5. 数字电路:在逻辑电路、计算机硬件和其他数字设备中用作主要开关元件。

竞争优势

  1. 高性能与低功耗:MMST2222A-7-F在确保性能的同时,显著降低了功耗,对于电池供电的设备更为友好。
  2. 高可靠性:厂家DIODES出品,经过严格的品质控制,确保了长期的使用稳定性和可靠性。
  3. 小型化设计:SOT-323封装使其极为适合现代电子设备的小型化和轻量化趋势。
  4. 适应广泛的环境条件:高达150°C的温度工作限制,扩展了器件的应用范围,适合于高温及恶劣环境条件下的工作。

结论

MMST2222A-7-F是一款多功能、性能优越的NPN晶体管,凭借其可靠的规格和设计,能够满足各种电子应用的需求。其高电流承载能力、低功耗特点以及广泛的工作温度范围,使其在现代电子产品中具有极大的应用潜力。无论是在消费电子、工业设备还是通讯系统中,MMST2222A-7-F都能够提供稳定的性能支持,是工程师们研发设计时的重要选择。