ZVP4525E6TA

ZVP4525E6TA 产品概述

产品简介

ZVP4525E6TA 是一款集成了先进技术的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，旨在满足高电压、小功耗的电子应用需求。该部件由知名厂商 DIODES（美台）生产，采用 SOT-23-6 封装，适合表面贴装，广泛适用于各种电子电路中，如开关电源、功率放大器以及电容器充放电控制等场合。

电气特性

ZVP4525E6TA 的关键信息如下：

• 漏源电压（Vdss）: 该器件可承受高达 250V 的漏源电压，对于需要高电压稳定性的应用非常适合。

• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的条件下，ZVP4525E6TA 支持最高 197mA 的连续漏极电流，能够在低功耗情况下提供稳定的电流输出。

• 栅源电压阈值（Vgs(th)）: 当栅源极电流达到 1mA 时，门极阈值电压为 2V，使其在较小电压下实现导通，减少控制电路的驱动功耗。

• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 200mA 电流和 10V 的驱动电压下，漏源导通电阻最大值为 14Ω，有助于降低导通损耗。

• 最大功率耗散: 器件在环境温度 25°C 下，最大功率耗散为 1.1W，此参数是关键的热管理考虑因素之一。

• 驱动电压范围: 最小 Rds(on) 较低的驱动电压（3.5V 至 10V），充分展现其灵活的应用能力。

额外特性

ZVP4525E6TA 的其他重要参数包括：

• 工作温度范围: 器件能在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适用于极端环境下的应用，确保了高可靠性。

• 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 73pF，在 25V 的输入条件下表现出色，为此器件的开关速度提供了良好的基础。

• 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 3.45nC 以 10V 驱动电压下测量，表明其控制电路负载小，适合高效能电路设计。

封装与应用

ZVP4525E6TA 采用 SOT-23-6 封装，体积小巧，便于表面贴装，适合广泛的现代电子设计。这种封装形式兼顾了体积和散热性能，特别适合于紧凑型设计的电子产品。

应用领域

该 MOSFET 广泛应用于以下领域：

• 开关电源: 用于电源转换和能量管理，提高系统的能效和性能。

• 电机驱动: 在电机控制和调速系统中，提供稳定的开关性能。

• 信号开关: 在音频和视频设备中，作为开关控制，实现信号传输的灵活控制。

• LED 驱动: 在 LED 照明和显示设备中，提供可靠的开关功能。

总结

ZVP4525E6TA 以其优异的电气性能和较宽的应用范围，成为了现代电子设计中一种重要的 MOSFET 解决方案。无论是在高电压应用中，还是在对功耗敏感的设备中，ZVP4525E6TA 的存在都提供了强有力的支持，帮助工程师和设计师实现高性能的电路设计。其稳定性和高可靠性，使其在许多苛刻的工业和消费电子领域中得到了广泛使用。