类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V,90A |
功率(Pd) | 3.9W;180W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 95.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.556nF@30V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
基本信息 DMTH6004SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,旨在满足各类电子应用的需求。它具有出色的电流处理能力、低导通阻抗和广泛的工作温度范围,适合用于各种电源管理、开关电源、马达驱动以及其他高效能电子电路。
技术参数
热管理 DMTH6004SK3-13在功率耗散方面表现出色,最大功率耗散为3.9W(环境温度)和180W(冷却条件下)。这使得器件可以在更高的负载条件下运行而不容易发生热失控,确保系统的稳定性和安全性。
工作条件 该MOSFET的工作温度范围从-55°C到175°C,广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定工作,适用于汽车及工业控制等高温应用。
封装与安装 DMTH6004SK3-13采用TO-252(D-Pak)封装,适合表面贴装(SMD)技术,具有良好的散热性能和可靠的电气接触。TO-252封装的设计使其在PCB上占用较小的空间,而又能提供优秀的散热性能,与标准的组装工艺兼容,便于自动化生产。
应用场景 DMTH6004SK3-13可广泛应用于:
总结 总的来说,DMTH6004SK3-13是一款性能优越的N沟道MOSFET,适合各种电源和驱动应用。其优异的电流处理性能、低导通阻抗、高热管理能力以及适应极端温度的特性,使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理、动力系统,还是各类高频率应用中,DMTH6004SK3-13都能够提供稳定、高效的性能表现。