DMTH6004SK3-13 产品实物图片
DMTH6004SK3-13 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMTH6004SK3-13

商品编码: BM0000000572
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.46g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.9W;180W 60V 100A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
1565(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
4.95
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.95
--
100+
¥4.12
--
1250+
¥3.75
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMTH6004SK3-13参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.8mΩ@10V,90A
功率(Pd)3.9W;180W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)95.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.556nF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

DMTH6004SK3-13手册

DMTH6004SK3-13概述

产品概述:DMTH6004SK3-13 MOSFET

基本信息 DMTH6004SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,旨在满足各类电子应用的需求。它具有出色的电流处理能力、低导通阻抗和广泛的工作温度范围,适合用于各种电源管理、开关电源、马达驱动以及其他高效能电子电路。

技术参数

  • FET类型: N通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 100A(以热箱温度为标准)
  • 最大Rds On: 3.8毫欧(在90A,10V下测试)
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大4V(在250µA下测得)
  • 栅极电荷(Qg): 最大95.4nC(在10V下测得)
  • 输入电容(Ciss): 最大4556pF(在30V下测得)

热管理 DMTH6004SK3-13在功率耗散方面表现出色,最大功率耗散为3.9W(环境温度)和180W(冷却条件下)。这使得器件可以在更高的负载条件下运行而不容易发生热失控,确保系统的稳定性和安全性。

工作条件 该MOSFET的工作温度范围从-55°C到175°C,广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定工作,适用于汽车及工业控制等高温应用。

封装与安装 DMTH6004SK3-13采用TO-252(D-Pak)封装,适合表面贴装(SMD)技术,具有良好的散热性能和可靠的电气接触。TO-252封装的设计使其在PCB上占用较小的空间,而又能提供优秀的散热性能,与标准的组装工艺兼容,便于自动化生产。

应用场景 DMTH6004SK3-13可广泛应用于:

  1. DC-DC转换器:其高电流和低导通阻抗使其成为高效电源管理的理想选择。
  2. 马达驱动:可用于驱动各种电机,满足高电流需求并保持低能耗。
  3. 开关转换电路:由于其低导通电阻和高开关速度,适合应用于开关电源和其他高频率应用。
  4. 自动化控制系统:其广泛的工作温度范围和高可靠性,能够在恶劣环境下继续工作,确保系统的长时间稳定运行。

总结 总的来说,DMTH6004SK3-13是一款性能优越的N沟道MOSFET,适合各种电源和驱动应用。其优异的电流处理性能、低导通阻抗、高热管理能力以及适应极端温度的特性,使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理、动力系统,还是各类高频率应用中,DMTH6004SK3-13都能够提供稳定、高效的性能表现。