晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 600mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@500mA,5V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DSS4160V-7 是一款由DIODES(美台)出品的高性能NPN型晶体管,封装采用SOT-563。这款晶体管以其卓越的集电极电流能力和高工作频率,广泛应用于功率放大、开关电源及信号放大等领域。不仅具备良好的温度稳定性和低饱和压降, 更是为系统设计者提供了一个可靠且高效的解决方案。
DSS4160V-7的主要技术参数包括:
DSS4160V-7采用小型的SOT-563表面贴装封装,其优越的体积和散热特性使其非常适合于各种紧凑型电路板布局。此封装方式不仅降低了元件间的电磁干扰,还便于自动化焊接与装配,提高了生产效率。
DSS4160V-7在多个领域表现出色,主要应用包括:
DSS4160V-7在设计中强调了几个关键优势:
DSS4160V-7 是一款功能强大、性价比高的NPN型晶体管,适用于各种电子设备中的高频开关与放大应用。其优异的电气性能与堪称优秀的工作温度范围,使它成为现代电子设计中的理想选择,无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,都能发挥出色的性能。如需进一步的技术支持或数据手册,请联系DIODES的授权代理商获取更多信息。
通过应用DSS4160V-7,设计工程师可以确保产品的高效性、可靠性和竞争力,使其在迅速发展的市场中赢得先机。