S29GL032N90TFI040 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

S29GL032N90TFI040

商品编码: BM0000000576
品牌 : 
CYPRESS(赛普拉斯)
封装 : 
48-TSOP
包装 : 
托盘
重量 : 
1.731g
描述 : 
NOR闪存 S29GL032N90TFI040 TSOP-48
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.32
按整 :
托盘(1托盘有960个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.32
--
100+
¥6.2
--
14400+
产品参数
产品手册
产品概述

S29GL032N90TFI040参数

存储器构架(格式)FLASH存储器接口类型Parallel
存储器容量32Mb (4M x 8, 2M x 16)工作电压2.7V ~ 3.6V
存储器类型Non-Volatile存储器格式闪存
技术FLASH - NOR存储容量32Mb (4M x 8,2M x 16)
存储器接口并联写周期时间 - 字,页90ns
访问时间90ns电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)供应商器件封装48-TSOP

S29GL032N90TFI040手册

S29GL032N90TFI040概述

S29GL032N90TFI040 产品概述

概述

S29GL032N90TFI040 是由全球知名的半导体公司 Cypress(赛普拉斯)推出的一款高性能NOR闪存器件。该器件以其卓越的速度和可靠性,广泛应用于消费类电子、工业控制、网络设备及汽车电子等领域。其具备32Mb(4M x 8 或 2M x 16)的存储容量,适合存储固件、应用程序和数据。

存储器架构

此款闪存采用了一种并行接口,便于与微控制器和其他外部设备进行高效的数据传输。采用NOR存储架构,为许多需要随机访问数据的应用提供了快速的读取能力。与NAND闪存相比,NOR闪存在执行代码方面具有更低的延迟和更高的可靠性,特别适合需要频繁读取和执行程序的应用场景。

性能参数

S29GL032N90TFI040 在性能方面表现出色:

  • 写周期时间:该器件的字/page写入周期为90ns,确保数据快速存储并提升整体系统性能。
  • 访问时间:读取访问时间同样为90ns,使得数据读取过程高效且流畅。
  • 工作电压:该器件在2.7V到3.6V的宽工作电压范围内稳定运行,适应多种电源环境,增强了其适用性。

工作环境

S29GL032N90TFI040 设计的工作温度范围为-40°C至85°C(TA),使其能够在严苛的环境条件下可靠工作,符合工业级标准。这使得它成为在极端温度下运行的设备(如汽车、工业控制系统)中的理想选择。

封装与设计

该闪存器件采用48-TSOP(Thin Small Outline Package)封装,其尺寸为0.724"宽(约 18.40mm),适合现代电子设备追求的小型化趋势。表面贴装(SMD)设计增强了设备的可焊性和集成度,同时亦简化了PCB的布局。

非易失性存储

作为一种非易失性存储器,S29GL032N90TFI040 能够在断电情况下保留存储的数据,这一特性对于存储重要的系统设置或程序代码至关重要。在需要持久存储的应用场景中如固件存储、引导代码和用户数据等,非易失性对于确保数据不丢失具有重要意义。

应用场景

S29GL032N90TFI040 的可靠性和性能令其适用于多种应用,包括但不限于:

  • 消费类电子:如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的固件存储。
  • 工业自动化:用于控制系统中的程序存储,保障设备的运行稳定性。
  • 网络设备:如路由器和交换机中的配置数据及启动代码的存储。
  • 汽车电子:在汽车控制单元(ECU)中存储操作程序和关键系统数据,确保安全和性能。

结论

S29GL032N90TFI040 作为一款高性能NOR闪存器件,凭借其高存储容量、快速访问时间和宽工作电压范围,以及在严苛环境下的卓越性能,成为多种电子应用的理想选择。其表面贴装的设计与非易失性的特点,进一步增强了该器件在现代电子产品中不可或缺的地位。无论在何种应用场景下,S29GL032N90TFI040 都能提供可靠的数据存储解决方案,为用户带来卓越的体验。