SI2342DS-T1-GE3 产品实物图片
SI2342DS-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2342DS-T1-GE3

商品编码: BM0000000578
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 8V 6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.42
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.42
--
3000+
¥1.36
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2342DS-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)8V
连续漏极电流(Id)6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@4.5V,7.2A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15.8nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.07nF@4V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI2342DS-T1-GE3手册

SI2342DS-T1-GE3概述

SI2342DS-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SI2342DS-T1-GE3 是由 VISHAY(威世)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用了高效的金属氧化物半导体技术。其主要特点包括额定漏源电压为 8V,持续漏极电流为 6A,功率耗散能力为 2.5W,尤其适用于低功耗和高频应用场景,如开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等。

二、技术参数

  1. 漏源电压(Vdss): SI2342DS-T1-GE3 的绝对最大漏源电压为 8V,适合低电压操作,能够在多种电子设备中灵活应用。

  2. 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该器件能连续提供 6A 的漏极电流(Tc),为许多电路提供必要的功率支持。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 栅源阈值电压为 800mV(@ 250µA),这确保了 MOSFET 在低电压驱动器信号下也能有效地进入导通状态,提高了在逻辑电平上的兼容性。

  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 该器件在 7.2A 时的导通电阻极低,仅为 17mΩ(@ 4.5V),显示出其优异的导电性能,能够有效降低功耗和热量产生。

  5. 栅极电荷(Qg): 该 MOSFET 的栅极电荷为 15.8nC(@ 4.5V),在高频开关应用中具有较低的栅驱动功耗。

  6. 输入电容(Ciss): 在 4V 的情况下,其输入电容最大为 1070pF,确保了快速的开关特性。

  7. 工作温度范围: SI2342DS-T1-GE3 支持的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),使其能够在严苛环境条件下顺利工作。

  8. 功率耗散: 设备最大功率耗散为 2.5W(@ Tc),提供了额外的安全裕度以应对不同工作条件。

  9. 封装类型: SI2342DS-T1-GE3 采用表面贴装型封装SOT-23,符合现代电子设备对小型化、轻量化的需求。

三、应用场景

SI2342DS-T1-GE3 的设计使其非常适合在多种电子应用中使用,典型应用包括:

  • 开关电源: MOSFET 在开关电源中被广泛使用,以实现高效率的电能转换。
  • DC-DC 转换器: 其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于各类 DC-DC 转换器中。
  • 负载开关: SI2342DS-T1-GE3 也可用于负载开关,能够有效地控制电流的连续通断。
  • 电机驱动器: 在小型电机驱动器中,可通过 MOSFET 实现高效的电源管理。

四、总结

作为一款优质的 N 沟道 MOSFET,SI2342DS-T1-GE3 结合了良好的电气性能与适应广泛应用的能力,是电子设计师在选择低电压、高效率的开关器件时的理想选择。凭借其可靠的工作特性与优良的热管理能力,该器件将在多种应用中发挥重要作用,有效提升整个电子系统的性能与安全性。