类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 8V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@4.5V,7.2A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.07nF@4V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI2342DS-T1-GE3 产品概述
一、基本信息
SI2342DS-T1-GE3 是由 VISHAY(威世)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用了高效的金属氧化物半导体技术。其主要特点包括额定漏源电压为 8V,持续漏极电流为 6A,功率耗散能力为 2.5W,尤其适用于低功耗和高频应用场景,如开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等。
二、技术参数
漏源电压(Vdss): SI2342DS-T1-GE3 的绝对最大漏源电压为 8V,适合低电压操作,能够在多种电子设备中灵活应用。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该器件能连续提供 6A 的漏极电流(Tc),为许多电路提供必要的功率支持。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 栅源阈值电压为 800mV(@ 250µA),这确保了 MOSFET 在低电压驱动器信号下也能有效地进入导通状态,提高了在逻辑电平上的兼容性。
漏源导通电阻(Rds(on)): 该器件在 7.2A 时的导通电阻极低,仅为 17mΩ(@ 4.5V),显示出其优异的导电性能,能够有效降低功耗和热量产生。
栅极电荷(Qg): 该 MOSFET 的栅极电荷为 15.8nC(@ 4.5V),在高频开关应用中具有较低的栅驱动功耗。
输入电容(Ciss): 在 4V 的情况下,其输入电容最大为 1070pF,确保了快速的开关特性。
工作温度范围: SI2342DS-T1-GE3 支持的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),使其能够在严苛环境条件下顺利工作。
功率耗散: 设备最大功率耗散为 2.5W(@ Tc),提供了额外的安全裕度以应对不同工作条件。
封装类型: SI2342DS-T1-GE3 采用表面贴装型封装SOT-23,符合现代电子设备对小型化、轻量化的需求。
三、应用场景
SI2342DS-T1-GE3 的设计使其非常适合在多种电子应用中使用,典型应用包括:
四、总结
作为一款优质的 N 沟道 MOSFET,SI2342DS-T1-GE3 结合了良好的电气性能与适应广泛应用的能力,是电子设计师在选择低电压、高效率的开关器件时的理想选择。凭借其可靠的工作特性与优良的热管理能力,该器件将在多种应用中发挥重要作用,有效提升整个电子系统的性能与安全性。