| 数量 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V | 
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,320mA | 
| 耗散功率(Pd) | 445mW | 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | 
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | 输入电容(Ciss) | 56pF@10V | 
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 
基本信息: BSS138BKS,115是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),适用于多种低功耗和逻辑电平应用。这款元器件由Nexperia(安世)制造,优势在于其优异的导通性能和较高的工作温度范围,为现代电子设备设计提供了可靠的解决方案。
主要参数:
性能特点:
应用领域:
封装信息与安装方式: BSS138BKS,115采用6-TSSOP、SC-88或SOT-363封装,表面贴装型设计使其在PCB上占用较小空间,适合现代电子产品的紧凑设计需求。此封装不仅便于自动化生产,也提升了组装的可靠性。
总结: BSS138BKS,115是一款具有出色性能的双N沟道场效应管,结合其适应性广泛的电压与电流规格,能够满足多种电子产品设计的要求。从电源管理到信号控制,从工业应用到汽车电子,该器件凭借其高功率、低电阻和宽温度范围,成为工程师们设计高效能电子系统时的理想选择。选择BSS138BKS,115是确保电子设计可靠性与效率的重要一步。