PSMN1R5-30YLC,115

产品概述：PSMN1R5-30YLC,115

产品名称： PSMN1R5-30YLC,115
品牌： Nexperia（安世）
类型： N沟道MOSFET
封装： LFPAK56，Power-SO8

一、技术规格

PSMN1R5-30YLC,115是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在满足高电流和高功率应用的需求，具备优异的热管理特性和导电性能。以下是其主要电气参数：

• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 连续漏极电流（Id）： 100A（在25°C时的额定值，基于中心温度Tc）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 1.95V @ 1mA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）： 1.55mΩ @ 25A，10V
• 最大功率耗散： 179W（在环境温度Ta为25°C时的最大值）
• 工作温度范围： -55°C ~ 175°C（结温TJ）

二、性能优势

PSMN1R5-30YLC,115的设计注重性能与效率，尤其适合用于高频开关应用和功率管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）和高允许电流使得该元器件在高负载情况下依然能够保持低温升，减少热能损耗，这在许多电子电路中尤其重要，如电源模块、DC-DC转换器等。

此外，MOSFET在高频率应用中的表现极为出色。其最大栅极电荷（Qg）为65nC @ 10V，确保迅速响应的开关特性，这对于提升电源开关效率至关重要。

三、应用领域

由于其优越的电气特性，PSMN1R5-30YLC,115广泛适用于以下应用场景：

• 电源管理： 在电源转换、整流与调节过程中，MOSFET可以有效提高能量转换效率，降低亏损。
• 电动汽车： 在电机驱动、电池管理系统中，该元件能够承受高电流和高功率的要求，确保系统稳定。
• 工业控制： 在电机控制与开关电路中，能够提供可靠的开关操作与高效能量传输。
• 消费电子： 在高性能消费电子产品中（如笔记本电脑、智能手机）广泛应用于电源管理和功率放大等模块。

四、封装与散热特性

PSMN1R5-30YLC,115采用LFPAK56和Power-SO8封装，具有出色的热性能和电气隔离性。这种封装设计优化了散热性能，减少了热堆积，适用于高功率密度的应用。此外，表面贴装型的设计使得该MOSFET易于集成于现代电子电路板上，便于自动化生产。

五、结论

总的来说，PSMN1R5-30YLC,115是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET，适合于广大高功率应用。其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和良好的散热性能使其成为新一代电子设计的理想选择。无论是在电源管理、工业控制还是消费电子领域，PSMN1R5-30YLC,115都能够满足现代工程师对性能和效率的高要求，为各种高性能电路提供可靠的解决方案。