类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.55mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 179W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.95V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.044nF@15V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品名称: PSMN1R5-30YLC,115
品牌: Nexperia(安世)
类型: N沟道MOSFET
封装: LFPAK56,Power-SO8
PSMN1R5-30YLC,115是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其设计旨在满足高电流和高功率应用的需求,具备优异的热管理特性和导电性能。以下是其主要电气参数:
PSMN1R5-30YLC,115的设计注重性能与效率,尤其适合用于高频开关应用和功率管理系统。其低导通电阻(Rds(on))和高允许电流使得该元器件在高负载情况下依然能够保持低温升,减少热能损耗,这在许多电子电路中尤其重要,如电源模块、DC-DC转换器等。
此外,MOSFET在高频率应用中的表现极为出色。其最大栅极电荷(Qg)为65nC @ 10V,确保迅速响应的开关特性,这对于提升电源开关效率至关重要。
由于其优越的电气特性,PSMN1R5-30YLC,115广泛适用于以下应用场景:
PSMN1R5-30YLC,115采用LFPAK56和Power-SO8封装,具有出色的热性能和电气隔离性。这种封装设计优化了散热性能,减少了热堆积,适用于高功率密度的应用。此外,表面贴装型的设计使得该MOSFET易于集成于现代电子电路板上,便于自动化生产。
总的来说,PSMN1R5-30YLC,115是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET,适合于广大高功率应用。其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和良好的散热性能使其成为新一代电子设计的理想选择。无论是在电源管理、工业控制还是消费电子领域,PSMN1R5-30YLC,115都能够满足现代工程师对性能和效率的高要求,为各种高性能电路提供可靠的解决方案。