PMPB13XNE,115

PMPB13XNE,115 产品概述

产品简介

PMPB13XNE,115 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为多种应用提供良好的电气特性和热性能。这款场效应管集成了先进的 MOSFET 技术，能够实现高效的电流控制与开关操作，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器和负载驱动等领域。

技术参数

1. FET 类型与技术:

   • PMPB13XNE,115 是一款 N 通道 MOSFET，具有优异的电导通特性，适用于各种电气应用。

2. 漏源电压（Vdss）:

   • 该器件的最大漏源电压为 30V，能够承受高达 30V 的电压，确保在严格的工作环境中稳定运行。

3. 连续漏极电流（Id）:

   • 在 25°C 环境条件下，连续漏极电流为 8A，适合高电流应用，保障良好的电气性能。

4. 驱动电压（Vgs）:

   • PMPB13XNE 的最小和最大 Rds On 驱动电压分别为 1.8V 和 4.5V，确保合理的驱动条件与低导通电阻，有助于降低功耗。

5. 导通电阻（Rds On）:

   • 在 8A 和 4.5V 的条件下，最大导通电阻为 16 毫欧，优良的导通性能减少了能量损失，提高了整体效率。

6. 阈值电压（Vgs(th)）:

   • 最小启用电压 (Vgs(th)) 为 900mV @ 250µA，表明该 MOSFET 在较低的驱动电压下就能有效开启。

7. 输入电容 (Ciss):

   • 输入电容在 15V 时为 2195pF，域 在选择适当的驱动电路时，该参数对于开关速度和效率至关重要。

8. 功率耗散:

   • 在环境温度下（Ta），最大功率耗散为 1.7W，而在芯片温度（Tc）下高达 12.5W，显示出该器件在高负载条件下依然保持良好的性能。

9. 工作温度范围:

   • 支持的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，适合于各种恶劣环境下的应用。

10. 封装与安装类型:

    • PMPB13XNE,115 采用 DFN2020MD-6 表面贴装型封装，6-UDFN 裸露焊盘设计便于自动化生产，减小占板空间并提高散热性能。

应用场景

凭借其卓越的电气特性，PMPB13XNE,115 广泛适用于:

• 电源管理: 用于开关电源、高效能 DC-DC 转换器等，以提高能量转化效率和降低功耗。

• 马达驱动: 在马达控制以及各种电动工具中的应用，通过精确的电流控制实现更高效的能量管理。

• LED 驱动: 对于 LED 照明系统中的电子组件，实现优质的驱动控制和优化的热管理。

• 消费电子: 可以在快速发展的消费电子产品中采用，满足高密度集成和高电流响应需求。

总结

PMPB13XNE,115 是一款高效率的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气参数和广泛的应用潜力，成为现代电源管理和驱动解决方案中的理想选择。其优异的性能和高温工作能力使其在电子行业中脱颖而出。无论是从功耗还是热管理来看，PMPB13XNE,115 皆能为高性能电路设计提供可靠的支持，为未来的技术创新打下坚实的基础。