类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 84A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.1mΩ@5V,25A |
功率(Pd) | 194W | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.506nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 225pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
引言:
PSMN010-80YLX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由 Nexperia(安世)公司设计与制造,专为高功率应用而优化。这款元器件采用表面贴装型封装(LFPAK56,Power-SO8),使其在空间受限的设计中具有更高的便捷性和灵活性。PSMN010-80YLX 的主要性能参数使其非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他高电流应用场景。
产品特点:
高电流处理能力: PSMN010-80YLX 在 Tc=25°C 下的连续漏极电流(Id)可达84A,这使其在高电流应用中表现出色。它的最大功率耗散可达到194W,确保在高负载条件下的可靠工作。
低导通电阻: 此款 MOSFET 在 25A 和 10V 驱动电压下导通电阻(Rds(on))的最大值仅为10毫欧,这意味着在工作期间能量损耗极低,有助于提高整体效率,并减少热量生成。
广泛的工作温度范围: PSMN010-80YLX 的工作温度范围为-55°C 至 175°C,显示出其在各种极端环境条件下的可靠性和耐用性。因此,它非常适合于工业和汽车等应用场景。
高度兼容性: 该产品支持的最大栅极电压Vgs为±20V,且具有5V和10V的驱动电压选项,使其可以广泛兼容多种控制电路。
低输入电容: 在25V时,PSMN010-80YLX 的输入电容(Ciss)最大为6506pF,这降低了在开关操作时的时间延迟,特别是在高频应用中显得尤为重要。
易于驱动的栅极电荷: 该器件的栅极电荷(Qg)在5V时最大为44.2nC,这为驱动电路提供了便利,因为它降低了所需的驱动功耗首。
漏源电压(Vds): PSMN010-80YLX 的漏源电压最大值为80V,提供了良好的电压耐受能力,为各种高电压要求的应用提供了安全保障。
阈值电压(Vgs(th)): 在Vgs=1mA时,阈值电压的最大值为2.1V,这使得该MOSFET能够在较低的栅压下开始导通,提高了应用的灵活性。
应用领域:
PSMN010-80YLX 的优异性能使其广泛应用于各种领域,包括但不限于:
总结:
综上所述,PSMN010-80YLX 继承了 Nexperia 在 MOSFET 设计和生产上的丰富经验,结合其高电流处理能力、低导通电阻、广泛的温度范围以及易于驱动等特点,成为实现高效电源管理和电机控制的理想选择。在不断发展的电子市场中,PSMN010-80YLX 将为各类应用提供可靠、稳定的解决方案。