类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 76A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 106W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 39nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.37nF@30V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN8R5-60YS,115 是由 Nexperia(安世半导体)公司生产的一款高性能 N沟道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)。其设计旨在满足高功率、高效能应用的需求,其主要指标如下:漏源电压(Vdss)高达 60V,连续漏极电流(Id)为 76A,最大功率耗散为 106W,并且具有优异的导通电阻特性。这些参数使该组件特别适合用于电源管理、变换器、马达驱动等多种高效能电路设计中。
PSMN8R5-60YS,115 使用先进的 MOSFET 技术,具有多个设计优势:
PSMN8R5-60YS,115 广泛应用于多个高效能电子设备中,包括但不限于:
PSMN8R5-60YS,115 是一款功能齐全、高性能的 N沟道 MOSFET,特别适用于高功率和高效能的应用场合。其低导通电阻、高电流处理能力以及宽温工作范围,使其成为多种电力电子电路的理想选择。无论是在电源管理、马达驱动还是其他汽车和工业应用领域,该 MOSFET 都能提供卓越的性能和可靠性。在电气性能与散热管理上的出色表现,使设计工程师能够更加灵活地设计和优化他们的应用,提升整体系统的效率与可靠性。选择 PSMN8R5-60YS,115,即选择高效、稳定和高性价比的电子元件。