PMV30UN2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMV30UN2R

商品编码: BM0000000749
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-263-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.037g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 490mW;5W 20V 4.2A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
773(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.374
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.374
--
3000+
¥0.35
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMV30UN2R参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@4.5V,4.2A
功率(Pd)490mW;5W阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)655pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

PMV30UN2R手册

PMV30UN2R概述

PMV30UN2R 产品概述

PMV30UN2R 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商 Nexperia(安世半导体)生产。该器件专为高效能应用而设计,能够在一定电压和电流条件下实现低功耗和高稳定性,适合多种电子电路的需求。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 最大 20V,适合低电压应用,能够有效保护电路免受过电压损坏。
  2. 连续漏极电流(Id): 最高可达 4.2A(在 25°C 环境下),使用灵活,适合驱动能力较强的负载。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 900mV @ 250µA,较低的阈值电压有助于降低驱动电压要求,减少功耗。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 32mΩ @ 4.2A, 4.5V,这一参数确保了在大电流通过时依然保持良好的热管理和电能效率。
  5. 功率耗散: 最高功率耗散能力为 490mW(Ta=25°C)或 5W(Tc),适应环境温度变化,增强了元器件的适用性。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,广泛的工作温度范围确保了 PMV30UN2R 能够在严酷的环境条件下正常运行。

封装特点

该元器件采用 TO-236AB 封装(也称为 SOT-23-3),表面贴装设计使其适合现代电路的高密度布局,减小了电路板的占用空间并提升了组件的安装效率。TO-236 封装具有较好的热管理性能,有助于减少工作丰度带来的热损耗。

应用领域

PMV30UN2R 适用于众多领域和应用场景,包括但不限于:

  • DC-DC 转换器: 在电源管理中作为开关元件,提供高效的能量转换。
  • 电池供电设备: 各种便携式电子设备(如移动电话、平板电脑等),由于该管件的低栅极驱动电压特性,适合能量受限的应用。
  • 负载开关: 作为低侧或高侧开关,用于控制电流的流动,尤其在家电和工业设备中效果显著。
  • 电机驱动: 可用于控制小型电机的开关,实现精确的运动控制。

性能优势

PMV30UN2R 具有以下几方面的性能优势:

  • 低导通损耗: 由于其低导通电阻,能显著减少导通状态下的功耗,降低能量损失,从而提升系统整体效率。
  • 高线性度: 在高频应用中表现出色,使其在 PWM调制和开关电源中应用广泛。
  • 良好的热管理能力: 较高的功率耗散能力使其可在更高功率下运行而不至于过热,适应多种工作环境。

结论

PMV30UN2R 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,结合其强大的电气特性和广泛的适用范围,成为电子设计师在现代电源管理、信号控制和电机驱动等领域的理想选择。其优良的基础性能使该元器件在众多应用中脱颖而出,是提升产品效能和可靠性的关键元件。