类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@4.5V,4.2A |
功率(Pd) | 490mW;5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 655pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PMV30UN2R 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商 Nexperia(安世半导体)生产。该器件专为高效能应用而设计,能够在一定电压和电流条件下实现低功耗和高稳定性,适合多种电子电路的需求。
该元器件采用 TO-236AB 封装(也称为 SOT-23-3),表面贴装设计使其适合现代电路的高密度布局,减小了电路板的占用空间并提升了组件的安装效率。TO-236 封装具有较好的热管理性能,有助于减少工作丰度带来的热损耗。
PMV30UN2R 适用于众多领域和应用场景,包括但不限于:
PMV30UN2R 具有以下几方面的性能优势:
PMV30UN2R 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,结合其强大的电气特性和广泛的适用范围,成为电子设计师在现代电源管理、信号控制和电机驱动等领域的理想选择。其优良的基础性能使该元器件在众多应用中脱颖而出,是提升产品效能和可靠性的关键元件。