类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 900mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 470mΩ@4.5V,0.9A |
功率(Pd) | 350mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.3nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 41pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMZB390UNEYL是一款高性能的N通道MOSFET,采用表面贴装类型设计,非常适合现代电子电路中的应用。该器件由知名品牌Nexperia(安世)生产,封装采用DFN1006B-3,具有小型化和高效率的特点。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,该MOSFET在开关电源、驱动电路、便携式设备及其他低功耗应用中表现出色。
PMZB390UNEYL广泛应用于以下领域:
PMZB390UNEYL是一款出色的N通道MOSFET,凭借其卓越的导电性能、低功耗及宽广的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在开关电源、电机驱动还是便携式电子设备中,该MOSFET都能发挥重要作用,帮助工程师实现更高效、稳健的电路设计。选择PMZB390UNEYL,将为您的项目提供强大的支持和保障。