类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 91mΩ@10V,3A |
功率(Pd) | 1.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 240pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
RQ6E030ATTCR 是一款由知名半导体品牌 ROHM(罗姆)生产的P通道绝缘栅场效应管(MOSFET),采用TSMT6(SC-95)封装,具备良好的性能表现及广泛的适用性。该器件设计旨在满足现代电子电路对高效率、高密度和低功耗的要求,非常适合在功率管理、开关电源、负载开关等应用中发挥重要作用。
RQ6E030ATTCR 采用了现代金属氧化物工艺,结合了P通道结构,使其在控制高电流和高电压的同时,依然保持较低的功耗和良好的热稳定性。适合在高温环境下工作,也兼顾了长时间工作的可靠性。其导通电阻低,使得该器件在实际应用中大幅度降低了功耗,提高了整体电路性能。
该MOSFET采用TSMT6(SC-95)封装,其特点是体积小、散热性能好、安装方便,适合在空间有限的电路板上使用。表面贴装型设计(SMD)使其可以方便地集成到各种现代电子产品中,符合行业对于高密度布局的需求。
RQ6E030ATTCR 可以广泛应用于多种电子产品和系统,尤其是以下几个方面:
综上所述,RQ6E030ATTCR 是一款性能优异、应用广泛的P通道MOSFET,凭借其先进的工艺设计和优良的电气特性,能够满足各种高效率电源和开关控制的需求。其小型化的TSMT6封装、低导通电阻及快速的开关性能使得其成为现代电子设计中不可或缺的核心元件。在选择电源管理及控制方案时,RQ6E030ATTCR 为设计师提供了强有力的解决方案。