类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@4.5V,4.5A |
功率(Pd) | 1.9W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 545pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 175pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIA533EDJ-T1-GE3是一款由VISHAY(威世)公司推出的高性能电压源MOSFET阵列,专为各种电子电路应用而设计。该产品采用表面贴装型封装,封装类型为PowerPAK® SC-70-6 双极型,具有出色的散热性能和尺寸优势,使其可以在有限的空间内实现高效的电流管理。
产品特性 SIA533EDJ-T1-GE3采用N沟道和P沟道的设计,使其在电路设计中具有更为灵活的应用范围。其漏源电压(Vdss)最高可达12V,能够满足一般低压直流应用的需求。此外,连续漏极电流(Id)为4.5A,意味着在正常工作条件下,能够良好地处理大电流负载,适用于电机驱动、开关电源和信号转换等多种应用。
导通电阻与功耗 在不同的Id和Vgs条件下,该器件的导通电阻(最大值)为34毫欧,这使得SIA533EDJ-T1-GE3在运行时能够实现高效的电流导通,减少能耗并降低热量生成,从而提升系统的整体效率。同时,其功率最大值为7.8W,为高负载应用提供了必要的安全余量。
输入电容和栅极电荷 此款MOSFET的输入电容(Ciss)在6V时为420pF,并且栅极电荷(Qg)最大为15nC(在10V时),这些参数确保其具备较快的开关速度和良好的动态性能,适合高频应用。这些参数的优化有助于降低开关损失,提升开关频率,进而提高电源转换效率。
阈值电压和温度范围 SIA533EDJ-T1-GE3在25°C下的阈值电压(Vgs(th))最大值为1V(@250µA),这使得此器件能够在较低的输入电压下快速导通,适合逻辑电平门的使用要求。此外,其工作温度范围从-55°C到150°C,保证了在极端环境条件下稳定运行的能力,使其适用于汽车电子、工业控制等领域。
应用领域 综上所述,SIA533EDJ-T1-GE3非常适合用于需要低导通电阻、高开关速度和高热稳定性的电路设计。其内容包括但不限于开关电源、直流-直流转换器、负载开关、电机驱动、LED驱动以及其他各种需要逻辑级驱动的应用。
总结 作为一款功能强大且灵活应用广泛的MOSFET阵列,SIA533EDJ-T1-GE3以其优越的电气特性和可靠的工作性能,成为设计工程师在集成电路设计中不可或缺的元器件。通过将该产品纳入设计中,从而在功率管理、散热、空间利用等诸多方面获得显著的性能提升,是现代电子设备设计中的理想选择。