PMDT290UCE,115

PMDT290UCE,115 产品概述

产品简介

PMDT290UCE,115是一款高性能MOSFET（场效应管），结合了N沟道和P沟道的特性，特别设计用于低功耗和高效率的电路设计。该器件的漏源电压（Vdss）高达20V，能够持续承载的漏极电流（Id）可分别达到800mA（N沟道）和550mA（P沟道）。封装采用SOT-666，适合表面贴装技术，便于集成于各种电子产品中，特别在空间有限的应用场合表现出色。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 20V – 本器件可以在高达20V的电压下安全运行，适用于较高电压的电源管理及信号放大等应用。
• 连续漏极电流（Id）: N沟道为800mA，P沟道为550mA – 该高电流特性适合多种负载条件，以满足不同的电流需求。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 950mV @ 250µA – 本器件的逻辑电平门性能使其可在低栅压下迅速导通，减少开关损耗。
• 漏源导通电阻: 380mΩ @ 500mA, 4.5V (N沟道) 和 850mΩ @ 400mA, 4.5V (P沟道) – 低导通电阻保证了在负载条件下的高效率，减少了热量产生及功耗。
• 最大功率耗散: 500mW – 该器件的功率损耗适中，在各种工作条件下都可保持稳定性能。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C – 这一宽广的工作温度范围使得PMDT290UCE,115在极端环境中的可靠性和稳定性得到了保障。

样品封装及技术规格

PMDT290UCE,115采用SOT-666封装，适合表面贴装工艺，具备良好的热导性，并可有效减少PCB占用空间。其小巧的外形设计使得该器件特别适用于手机、无人机、以及各种便携设备中，同时还可用于消费电子、汽车电子和工业控制等有高可靠性要求的场景。

应用场景

PMDT290UCE,115广泛应用于以下场景：

1. 电源管理: 可用于DC-DC转换器及电源开关，以实现高效的电源管理。
2. 信号传输: 适用于信号开关和选择器，特别是在无线通讯设备中。
3. 负载驱动: 适用于LED驱动、马达驱动和其他负载的控制电路。
4. RF设备: 由于其低栅电荷(Qg=0.68nC @ 4.5V)和输入电容(Ciss=83pF @ 10V)特性，能够有效应对高频应用中对快速开关的需求。

竞争优势

1. 高效能: 相比传统MOTFET，该器件在保持低导通电阻的同时，提供了更高的电流处理能力和效率。
2. 可靠性: 具备广泛的工作温度范围和较高的功率耗散能力，适合各种苛刻工作条件。
3. 灵活性: N沟道和P沟道的组合设计使得其在电路设计上的灵活性，方便在电路中实现更复杂的功能。
4. 较小封装: SOT-666封装设计，使其在空间有限的应用领域仍可保持高效能。

总结

总之，PMDT290UCE,115 MOSFET是一个强大的电子元器件，体现在其卓越的电性能、灵活性以及可靠性上。适合各种应用的多功能MOSFET，无论是在消费电子还是在工业控制领域，都能提供极具竞争力的解决方案。选择PMDT290UCE,115，将为您的项目带来更好的性能和更高的可靠性。