类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.9mΩ@10V,60A |
功率(Pd) | 104W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 585nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 12.826nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.924nF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2002UPS-13是一款高性能的P沟道MOSFET,旨在满足现代电子设备在高效功率管理和低能耗应用中的需求。该元件由知名品牌DIODES(美台)生产,具有卓越的特性,适用于广泛的高压、高电流应用场景。
DMP2002UPS-13采用先进的MOSFET技术,结合P沟道结构,使其在低导通电阻下能实现高电流处理能力,这对于降低功耗和提高效率至关重要。在实际应用中,低导通电阻意味着在导通状态下产生的热量更少,可以更好地保护下游电路元件。
此外,该产品的最大栅电压为±12V,使其兼容多种驱动电压,具备较强的适应性和灵活性。栅极电荷的值(最大585nC)相对较低,可以减少开关损耗,提高开关频率,从而使其在高频率应用中表现出色。
DMP2002UPS-13广泛应用于多种领域,包括但不限于:
DMP2002UPS-13采用PowerDI5060-8封装,这种表面贴装型封装有利于热管理,并提供优越的电性能。其紧凑的封装设计使得在有限的PCB空间内,能够实现更高的元件密度,便于各种现代电子设备的集成设计。
综上所述,DMP2002UPS-13凭借其出色的电气性能、广泛的工作温度范围和优良的热管理特性,成为了许多电源管理和功率转换应用中的理想选择。无论是在家电、工业自动化还是新能源应用中,该产品都能够提供可靠的性能支持,是电路设计工程师值得信赖的选择。在日益追求节能和高效的今天,选择DMP2002UPS-13将有助于实现长效而可靠的电源解决方案。