DMP2002UPS-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP2002UPS-13

商品编码: BM0000000844
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI5060-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.3W 20V 60A 1个P沟道 PowerDI5060-8
库存 :
2656(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.13
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.13
--
2500+
¥2.99
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2002UPS-13参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)60A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9mΩ@10V,60A
功率(Pd)104W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)585nC输入电容(Ciss@Vds)12.826nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)1.924nF@10V工作温度-55℃~+150℃

DMP2002UPS-13手册

DMP2002UPS-13概述

DMP2002UPS-13 产品概述

1. 产品简介

DMP2002UPS-13是一款高性能的P沟道MOSFET,旨在满足现代电子设备在高效功率管理和低能耗应用中的需求。该元件由知名品牌DIODES(美台)生产,具有卓越的特性,适用于广泛的高压、高电流应用场景。

2. 主要参数

  • FET类型:P沟道
  • 漂移电压(Vdss):20V
  • 持续漏电流(Id@25°C):60A (Tc)
  • 驱动电压:最低启动电压为2.5V,最高为10V;
  • 导通电阻(Rds On):在25A和10V下最大为1.9毫欧;
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为1.4V(250µA);
  • 栅极电荷(Qg):在10V下最大为585nC;
  • 栅极最大电压(Vgs):±12V;
  • 输入电容(Ciss):在10V下最大为12826pF;
  • 功率耗散:最大为2.3W(Ta);
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ);
  • 封装类型:PowerDI5060-8(表面贴装型)

3. 特性与优势

DMP2002UPS-13采用先进的MOSFET技术,结合P沟道结构,使其在低导通电阻下能实现高电流处理能力,这对于降低功耗和提高效率至关重要。在实际应用中,低导通电阻意味着在导通状态下产生的热量更少,可以更好地保护下游电路元件。

此外,该产品的最大栅电压为±12V,使其兼容多种驱动电压,具备较强的适应性和灵活性。栅极电荷的值(最大585nC)相对较低,可以减少开关损耗,提高开关频率,从而使其在高频率应用中表现出色。

4. 应用场景

DMP2002UPS-13广泛应用于多种领域,包括但不限于:

  • 电源管理:在高效电源供应器(如开关电源)中作为主开关或驱动元件,帮助实现高效的能量转换。
  • 电机控制:可用于电机驱动电路中,提高电机驱动的效率和可靠性。
  • 电池管理系统:在电池充放电管理中保持高能效,减少能量损失。
  • LED驱动器:在LED照明应用中,以满足高亮度和长寿命的需求。

5. 封装与机械特性

DMP2002UPS-13采用PowerDI5060-8封装,这种表面贴装型封装有利于热管理,并提供优越的电性能。其紧凑的封装设计使得在有限的PCB空间内,能够实现更高的元件密度,便于各种现代电子设备的集成设计。

6. 结论

综上所述,DMP2002UPS-13凭借其出色的电气性能、广泛的工作温度范围和优良的热管理特性,成为了许多电源管理和功率转换应用中的理想选择。无论是在家电、工业自动化还是新能源应用中,该产品都能够提供可靠的性能支持,是电路设计工程师值得信赖的选择。在日益追求节能和高效的今天,选择DMP2002UPS-13将有助于实现长效而可靠的电源解决方案。