晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 1.25W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 55@1A,2V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 130mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTP25100BFHTA是一款高性能的PNP型晶体管,旨在满足现代电子电路对高功率和高频率操作的需求。此产品的主要参数包括集电极电流(Ic)最大值为2A,集射极击穿电压(Vce)可达100V,以及额定功率为1.25W,适合用在各种要求严格的应用场景中。其封装采用了表面贴装型SOT-23,便于在小型化设计中使用。
ZXTP25100BFHTA的特性使其在多个应用场景中表现出色,以下是一些具体应用:
ZXTP25100BFHTA的设计充分考虑了现代电子设备的需求,凭借其卓越的性能参数及宽广的应用领域,成为工程师设计电路时的理想选择。与DIODES(美台)品牌的优质制造保证相结合,此晶体管不仅能够在广泛的环境下稳定工作,而且其小型封装设计确保了在空间受限的应用中也能轻松集成,从而在多领域中拥有良好的市场前景。无论是在工业控制、通信、汽车电子还是消费类电子产品中,ZXTP25100BFHTA都展现出其出色的价值,成为电子设计师的重要工具。