晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 800mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 250@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BCW66HTA是一款高性能的NPN型双极型晶体管(BJT),广泛应用于低功率开关和放大电路。由于其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,这款器件在消费电子、通讯设备以及工业控制等领域中表现出色。
BCW66HTA的关键技术参数如下:
BCW66HTA采用SOT-23封装,这是一种非常紧凑和流行的表面贴装型封装,适合于高密度电路板设计。在尺寸上,SOT-23封装显得尤为小巧,便于在各种紧凑的电子设备中安装。
高电流增益:该器件的DC电流增益(hFE)大大优于传统的晶体管,这使得它能够在低基极电流(Ib)下驱动较高的集电极电流(Ic),提高了电路的效率。
低饱和压降:相较于同类产品,BCW66HTA在工作时的饱和压降较低,这意味着在开关应用中它能够有效减少功耗,提升电源转换效率。
宽广的工作温度:其工作温度范围从-55°C至150°C使得BCW66HTA能够在极端温度条件下稳定工作,这使其在严苛环境下应用(如汽车电子和航空航天)中具有极大的优势。
高频特性:具备100MHz的跃迁频率,BCW66HTA非常适合用于高频应用,如射频(RF)放大器以及快速开关电路。
BCW66HTA由于其优良的电气性能和可靠性,主要应用于以下领域:
在使用BCW66HTA的设计中,工程师应考虑以下几个设计要点:
总体而言,BCW66HTA是一款性能卓越的NPN双极型晶体管,凭借其高电流增益、低饱和压降和耐高温特性,成为多种电子设备中不可或缺的基础元件。无论是在设计高效率电路,还是在需要高可靠性的应用中,BCW66HTA都展现出其优越的性能和稳定的工作特性,为工程师提供了强有力的支持。