BCW66HTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BCW66HTA

商品编码: BM0000000938
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 330mW 45V 800mA NPN SOT-23
库存 :
310(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.283
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.283
--
3000+
¥0.25
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCW66HTA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)800mA
集射极击穿电压(Vceo)45V功率(Pd)310mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)250@100mA,1V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)20nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

BCW66HTA手册

BCW66HTA概述

BCW66HTA 产品概述

一、引言

BCW66HTA是一款高性能的NPN型双极型晶体管(BJT),广泛应用于低功率开关和放大电路。由于其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,这款器件在消费电子、通讯设备以及工业控制等领域中表现出色。

二、基本参数

BCW66HTA的关键技术参数如下:

  • 额定功率:330mW
  • 集电极电流 (Ic):最大可达800mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为45V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在50mA和500mA的条件下,饱和压降最大值分别为700mV和500mV
  • 截止电流 (Iceo):最大值为20nA
  • DC电流增益 (hFE):在100mA和1V条件下,最小值为250
  • 工作频率:可达100MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ)

三、外观与封装

BCW66HTA采用SOT-23封装,这是一种非常紧凑和流行的表面贴装型封装,适合于高密度电路板设计。在尺寸上,SOT-23封装显得尤为小巧,便于在各种紧凑的电子设备中安装。

四、性能特点

  1. 高电流增益:该器件的DC电流增益(hFE)大大优于传统的晶体管,这使得它能够在低基极电流(Ib)下驱动较高的集电极电流(Ic),提高了电路的效率。

  2. 低饱和压降:相较于同类产品,BCW66HTA在工作时的饱和压降较低,这意味着在开关应用中它能够有效减少功耗,提升电源转换效率。

  3. 宽广的工作温度:其工作温度范围从-55°C至150°C使得BCW66HTA能够在极端温度条件下稳定工作,这使其在严苛环境下应用(如汽车电子和航空航天)中具有极大的优势。

  4. 高频特性:具备100MHz的跃迁频率,BCW66HTA非常适合用于高频应用,如射频(RF)放大器以及快速开关电路。

五、应用领域

BCW66HTA由于其优良的电气性能和可靠性,主要应用于以下领域:

  • 消费电子:如音频放大器、图像处理设备等。
  • 通讯设备:如无线网络设备、信号放大器等。
  • 工业控制:如开关电源、直流电机驱动等。
  • 汽车电子:如传感器信号处理、灯光控制等。

六、设计注意事项

在使用BCW66HTA的设计中,工程师应考虑以下几个设计要点:

  • 热管理:尽管最大功率为330mW,但在高负载条件下仍需设计适当的散热措施,以确保器件在安全温度范围内工作。
  • PCB布局:SOT-23封装的布局应优化,以降低电路的寄生电感和电容,确保器件在高频应用中的性能。
  • 匹配电路:在高频应用中,选择合适的输入和输出耦合电容,以及适当的偏置电路,是提高放大器线性度和增益的关键。

七、总结

总体而言,BCW66HTA是一款性能卓越的NPN双极型晶体管,凭借其高电流增益、低饱和压降和耐高温特性,成为多种电子设备中不可或缺的基础元件。无论是在设计高效率电路,还是在需要高可靠性的应用中,BCW66HTA都展现出其优越的性能和稳定的工作特性,为工程师提供了强有力的支持。