集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@50mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@10mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA |
输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTB114EKT146 产品概述
DTB114EKT146是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为各种电子应用而设计,是罗姆(ROHM)公司生产的一款优质器件。其出色的性能指标和高度集成的设计,使其在现代电子设备中广泛应用。
额定功率与电流参数
击穿电压
直流电流增益
饱和压降
低截止电流
频率响应能力
DTB114EKT146采用表面贴装(SMT)技术,封装类型为TO-236-3(SOT-23-3),此种封装形式有效节省了电路板空间,提高了布局的灵活性和组件间的隔离能力。紧凑的封装设计还帮助散热,并在一定程度上提高了整体性能。
DTB114EKT146广泛应用于各种电子产品中,适合的领域包括:
作为一款高效能的PNP型数字晶体管,DTB114EKT146凭借其小巧的封装设计、良好的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电子设计中的首选器件之一。无论是在高频应用、低功耗电路还是复杂的信号处理任务中,DTB114EKT146都能够满足设计工程师对性能和效率的严格要求,为设备的整体表现提供了强有力的支持。