类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 45V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@4.0V,2.0A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 200pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
RTR020N05TL 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)提供的 N 通道场效应管(MOSFET)。该器件属于表面贴装型(SMD),适用于多种电力电子应用。其主要特点是高效能和良好的热管理性能,使其在小型化设计中非常受欢迎,尤其在电源管理、开关电源、驱动电路等领域。
RTR020N05TL 的关键技术参数包括:
这款 MOSFET 设计为能在宽广的工作温度范围内可靠运行,其工作温度可达 150°C。高温性能使其在严苛环境下仍能保持稳定性,减少故障风险。
RTR020N05TL 采用 TSMT-3 封装,可以方便地进行表面贴装,适应现代电路板设计中的空间限制。小型封装有助于减少电路板面积,适合高密度布局。
凭借其优越的电性能,RTR020N05TL 广泛应用于以下领域:
RTR020N05TL 是一款高效能、小型化的 N 通道 MOSFET,具备出色的电气性能指标和较好的热管理能力,适合广泛的电源管理和开关应用。随着电子设备对能效和空间的需求不断增加,该 MOSFET 提供的优势将为工程师在设计和实施时提供有效的解决方案,满足未来电子产品的需求。选择 RTR020N05TL,不仅能够提升电路的性能,还能够确保产品在不同工作条件下的可靠性和稳定性。