SI4126DY-T1-GE3 产品实物图片
SI4126DY-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4126DY-T1-GE3

商品编码: BM0000000031
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.245g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.5W;7.8W 30V 39A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.85
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.85
--
2500+
¥5.65
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4126DY-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)39A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.75mΩ@10V,15A
功率(Pd)3.5W;7.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)105nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.405nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI4126DY-T1-GE3手册

SI4126DY-T1-GE3概述

SI4126DY-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI4126DY-T1-GE3 是由威世(VISHAY)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,具备优良的电气特性与热管理能力,非常适合用于各种高功率应用,包括开关电源、电机控制和负载驱动等。该器件封装为 8-SOIC(小型表面贴装封装),便于自动化贴片,同时适合在空间有限的电子设计中使用。

二、技术参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 39A(在 25°C 时,功率桥接)
  • 驱动电压: 最大 Rds On 在 4.5V 和 10V 下表现优异,保证器件在不同驱动条件下的有效性。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压和 15A 电流下最大值为 2.75 毫欧,显示出优秀的导电性能,降低功耗和发热。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.5V @ 250µA,适合各种逻辑电平驱动。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大 105nC @ 10V,确保快速开关性能。
  • 最大栅源电压 (Vgs): ±20V,适应广泛的控制电压。
  • 输入电容 (Ciss): 最大 4405pF @ 15V,提供稳定的开关特性和降低功耗。
  • 功率耗散: 在空气中温度下 (Ta) 最大可达 3.5W,而在超高导热条件下 (Tc) 可达 7.8W,显示了很强的散热能力。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ),适合极端环境条件下的应用。

三、应用场景

  1. 开关电源(SMPS): SI4126DY-T1-GE3 的高效能和低导通电阻使其非常适合用于开关电源设计,无论是在恒压、恒流模式下,以提高整体的能量转化效率。

  2. 直流电机驱动: 能够承受高达 39A 的电流,并具备强大的热管理能力,使得该 MOSFET 适合用作电机驱动中的开关元件,有效提升电机的驱动波形。

  3. 功率放大器: 在需要高效能的功率放大器中,SI4126DY-T1-GE3 可显著改善增益特性,降低非线性失真和消耗。

  4. 高频开关应用: 结合其较小的栅极电荷和输入电容,此MOSFET适合用于高频操作的电路设计,使开关速度更快,提升开关效率。

四、封装与安装

SI4126DY-T1-GE3 采用 8-SOIC 封装,具备小巧且轻便的特点,符合现代电子设备对空间的严格要求。表面贴装型设计使得该器件能够适应自动贴片装置,提升了生产效率和组装精度。

五、总结

总的来说,SI4126DY-T1-GE3 是一款具有卓越性价比的 N 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度,优异的电气性能以及适应各种工作条件的能力,成为多种电子应用中的理想选择。无论是在新设计中应用还是替换旧款器件,SI4126DY-T1-GE3 都能够满足严苛的性能需求,为设计师提供更灵活的设计解决方案。