类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 39A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.75mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 3.5W;7.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 105nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.405nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4126DY-T1-GE3 是由威世(VISHAY)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,具备优良的电气特性与热管理能力,非常适合用于各种高功率应用,包括开关电源、电机控制和负载驱动等。该器件封装为 8-SOIC(小型表面贴装封装),便于自动化贴片,同时适合在空间有限的电子设计中使用。
开关电源(SMPS): SI4126DY-T1-GE3 的高效能和低导通电阻使其非常适合用于开关电源设计,无论是在恒压、恒流模式下,以提高整体的能量转化效率。
直流电机驱动: 能够承受高达 39A 的电流,并具备强大的热管理能力,使得该 MOSFET 适合用作电机驱动中的开关元件,有效提升电机的驱动波形。
功率放大器: 在需要高效能的功率放大器中,SI4126DY-T1-GE3 可显著改善增益特性,降低非线性失真和消耗。
高频开关应用: 结合其较小的栅极电荷和输入电容,此MOSFET适合用于高频操作的电路设计,使开关速度更快,提升开关效率。
SI4126DY-T1-GE3 采用 8-SOIC 封装,具备小巧且轻便的特点,符合现代电子设备对空间的严格要求。表面贴装型设计使得该器件能够适应自动贴片装置,提升了生产效率和组装精度。
总的来说,SI4126DY-T1-GE3 是一款具有卓越性价比的 N 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度,优异的电气性能以及适应各种工作条件的能力,成为多种电子应用中的理想选择。无论是在新设计中应用还是替换旧款器件,SI4126DY-T1-GE3 都能够满足严苛的性能需求,为设计师提供更灵活的设计解决方案。