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SI7611DN-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI7611DN-T1-GE3 是 VISHAY（威世）品牌推出的一款高性能 P沟道 MOSFET，采用表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 封装，旨在满足现代电子应用对高效能和高可靠性的要求。该器件支持高达 40V 的漏源电压和可持续的 18A 漏极电流，非常适合在功率管理、电源开关和其他高效电路中广泛应用。

二、主要规格参数

• 类型：P 通道 MOSFET
• 封装：PowerPAK® 1212-8
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 工作温度范围：-50°C 至 150°C
• 最大功率耗散：3.7W（在环境温度下），39W（在结温下）
• 最大连续漏极电流（Id）：18A（在结温 25°C 时）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
• 在不同 Id、Vgs 下的导通电阻：最大值 25 毫欧 @ 9.3A，10V
• 驱动电压：最大 Rds On 为 4.5V，最小 Rds On 为 10V
• 最大栅极电压（Vgs）：±20V
• 栅极电荷（Qg）：62nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）：最大值 1980pF @ 20V

三、技术优势

1. 高效能导通：SI7611DN-T1-GE3，以其低导通电阻特性，提供了更低的能量损耗和更高的转换效率，适用于要求高效能的电源管理领域。
2. 宽工作温度：该 MOSFET 可在宽温度范围内稳定工作，从严酷的环境条件到标准室温，其性能保持稳定，增强了设备的可靠性。
3. 小型化封装：采用 PowerPAK® 1212-8 封装，减小了产品体积，适应了现代电子产品对小型化和重量轻的趋势。
4. 高功率处理能力：在高达 39W 的功率耗散能力下，该 MOSFET 可以处理高功率应用，使其在各种高负载条件下仍能正常工作。

四、应用场景

SI7611DN-T1-GE3 适用于多种电子应用，包括但不限于：

• 电源开关：在 DC-DC 转换器和 AC 切换电路中的开关元件。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中控制电流的流向。
• 负载驱动：驱动各种负载，包括电动机和传感器等。
• 功率转换：用于高频和高效能的功率转换器和逆变器。

五、总结

SI7611DN-T1-GE3 是一款优秀的 P 通道 MOSFET，其低导通电阻、适用的功率和温度范围，以及高电压能力，为它的广泛应用奠定了基础。VISHAY（威世）的这一产品在功率管理和开关应用中表现出色，适合现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。随着电子技术的发展，SI7611DN-T1-GE3 将继续在各类先进应用中发挥关键作用，成为工程师们在设计电路时的重要选择。