类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.2mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 130W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 56nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.501nF@30V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN5R5-60YS,115 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为低损耗、高效率的电气应用而设计。其独特的性能参数使其在功率转换、开关电源、直流-直流转换器及电动汽车等领域具有广泛的适用性。该器件的封装形式为 LFPAK56 和 Power-SO8,这些封装设计优化了散热性能,使得该 MOSFET 适用于各种严格的工作环境。
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):100A @ 25°C (Tc)
栅源极阈值电压(Vgs(th)):4V @ 1mA
漏源导通电阻(Rds On):5.2mΩ @ 15A, 10V
最大功率耗散(Ta=25°C):130W (Tc)
工作温度范围:-55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN5R5-60YS,115 的封装选项包括 LFPAK56 和 Power-SO8,均为表面贴装型。这些封装设计考虑了空间效率和散热需求,非常适合高密度电路板的应用。此外,紧凑的结构与优良的散热性能可以有效地提升系统的整体性能。
PSMN5R5-60YS,115 适用的应用场景及设备包括但不限于:
综上所述,PSMN5R5-60YS,115 以其优越的电气性能、广泛的应用适用性和可靠的工作特性,成为现代电气与电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在电源管理还是在高电流开关应用中,它都能提供卓越的性能。此外,该 MOSFET 的高度集成设计和优化的散热特性,确保了在多种复杂应用环境下的稳定运行,满足日益增长的市场需求。