DMN3033LSN-7
DMN3033LSN-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@4.5V,5A |
| 功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 755pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 108pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN3033LSN-7手册
DMN3033LSN-7概述
DMN3033LSN-7 产品概述
DMN3033LSN-7 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为各种电子设备设计，尤其适用于需要高效能和小型化的应用场合。该产品由著名半导体制造商DIODES（美台）生产，具有优良的导电性能和热稳定性，广泛应用于电源管理、开关电源、以及其他需要高效率电流控制的电路中。
主要参数和特性
安装类型: 该MOSFET采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为SC-59。这种紧凑的封装设计使得该器件非常适合于空间有限的应用，提高了布板的灵活性。
导通电阻: 在6A和10V的条件下，该器件的最大导通电阻（Rds(on)）为30毫欧。这表明在高负载情况下，DMN3033LSN-7能够有效降低功率损耗，从而提高能效，满足节能要求。
驱动电压: DMN3033LSN-7的驱动电压范围为4.5V至10V，这使得其在不同的驱动条件下仍能保持良好的开关性能。优化的驱动电压确保了MOSFET能够快速导通和关断，适用于高速开关应用。
工作温度范围: 该MOSFET在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内表现良好，适合在严苛环境下操作。这一特性确保了DMN3033LSN-7在各种工业及消费类应用中的可靠性。
漏极电流: 在25°C环境下，DMN3033LSN-7的连续漏极电流（Id）可达6A。这意味着它可以承受较高的负载电流，适合于驱动马达、继电器等较大功率的负载。
漏源电压: 最大漏源电压（Vdss）为30V，适用于中等电压的应用场景，特别是在低压电源管理和开关电源中表现出色。
输入电容: 在10V下，DMN3033LSN-7的输入电容（Ciss）最大值为755pF。这一参数为高频和高速应用提供了良好的条件，确保快速开关性能。
栅极电荷: 该器件在5V条件下的最大栅极电荷（Qg）为10.5nC，使得它在驱动MOSFET时所需的能量较低，从而提高了电路的效率。
阈值电压: 在不同Id条件下，该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V（@ 250µA），这使得DMN3033LSN-7在较低电压下也能正常导通，进一步扩展了其应用范围。
应用领域
由于其卓越的性能，DMN3033LSN-7广泛应用于多个领域，包括：
- 电源管理系统: 活动电源切换、PWM调制、DC-DC转换器等应用场景能够充分发挥该MOSFET的导通特性。
- 汽车电子: DMN3033LSN-7能够在高温和恶劣环境下表现稳定，适合用于汽车电源和电机控制系统。
- 消费电子: 该MOSFET也适用于各种消费类产品，例如手机、平板、笔记本等的电源管理。
- 工业控制: 在工业自动化和控制系统中，DMN3033LSN-7的高电流、宽温度范围特性使其成为理想选择。
结论
DMN3033LSN-7是一款性能卓越的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高温稳定性和宽工作电压范围，适用于电源管理、汽车电子、消费电子及工业控制等多种应用。无论是在需要高效能的设计，还是在对热管理要求严格的场合，DMN3033LSN-7都能成为可靠的选择。