
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 710mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 输入电容(Ciss) | 75pF |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
基本信息 ZVN2106GTA是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效电源管理和开关应用设计。它具有出色的电气特性和宽泛的工作温度范围,适用于各种电子设备,如消费电子、工业设备及汽车电子等。其封装为紧凑型的SOT-223,便于表面贴装,适合现代小型化电路设计。
关键技术参数
应用场景 ZVN2106GTA广泛应用于各类电源管理、开关电源、马达驱动、照明控制以及信号放大等领域。由于其出色的电流和温度承载能力,使之特别适用于以下场景:
封装与安装 该MOSFET以SOT-223封装形式提供,方便进行表面贴装,适应现代PCB设计需求。紧凑的封装不仅节省空间,还能有效提高散热性能,适合高密度板设计。
结论 ZVN2106GTA是市场上表现卓越的N通道MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为了众多工程师和设计师的理想选择。其在高效电源管理和开关应用中的表现,结合实用的封装形式,使其在设备设计中具有极高的灵活性和可靠性。对于需要高效能和高可靠性的电路设计,ZVN2106GTA无疑是一个值得考虑的优质电子元件。