DMN2005K-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN2005K-7

商品编码: BM69413602
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2541(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.417
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.417
--
3000+
¥0.39
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2005K-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)300mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@2.7V,200mA
功率(Pd)350mW阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@100uA
输入电容(Ciss@Vds)10pF@20V反向传输电容(Crss@Vds)5pF@20V
工作温度-65℃~+150℃

DMN2005K-7手册

DMN2005K-7概述

DMN2005K-7 产品概述

一、产品基本信息

DMN2005K-7 是一种高性能的 N 通道 MOSFET,适用于各种电子电路的开关和放大应用。该器件的设计注重于低导通电阻和高输入阻抗,使其在多种条件下都能提供优秀的性能。DMN2005K-7 的主要应用包括电源管理、电机驱动、信号开关和其他功率转换应用,广泛使用于消费电子、通信和工业设备中。

二、关键特点

  1. 电压和电流特性
    DMN2005K-7 的漏源电压(Vdss)为最高 20V,最大连续漏极电流(Id)可达 300mA。这使得该器件适合用于需要中等功率的应用场景,能够有效地满足一般电子产品的要求。

  2. 导通电阻
    该 MOSFET 的导通电阻(Rds(on))在 2.7V 的驱动电压下,最大值为 1.7Ω,且在 200mA 的电流条件下表现良好。这一低导通电阻特性有效减少了功率损耗,提升了能效,并降低了发热量,使其在高频率开关应用中尤为有效。

  3. 输入电压特性
    DMN2005K-7 的阈值电压(Vgs(th))最大为 900mV,这表明在相对较低的电压下,该器件即可开始导通,便于与其他逻辑电平器件直接连接。此外,最大栅源电压(Vgs)值为 ±10V,能够兼容多种控制信号。

  4. 功耗与热管理
    器件的最大功率耗散为 350mW(在 25°C 环境下),在合理的散热设计下,能够在较宽的工作温度范围内稳定工作。其工作温度范围广泛,由 -65°C 至 +150°C 的设计,使 DMN2005K-7 在极端环境中依然表现可靠。

  5. 封装设计
    DMN2005K-7 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,体积小巧,便于在紧凑型电路中使用。这种封装形式能够有效减少PCB面积,占用空间小,同时也方便进行自动化装配,提升了生产效率。

三、应用场合

DMN2005K-7 的强大特性使其可广泛应用于各类电子设备中,如下所示:

  • 消费电子:如手机、平板电脑和便携式设备中,用于电源管理、电池开关等。
  • 工业应用:用于电机驱动、继电器控制、信号转换等。
  • 通信设备:在基站、路由器和其他网络设备中,作为开关和放大器使用。
  • 汽车电子:在汽车的电源管理和控制系统中,提升整体性能和能效。

四、总结

DMN2005K-7 作为一款高效的 N 通道 MOSFET,凭借其适中的电压和电流特性、低导通电阻、宽工作温度范围以及紧凑的封装设计,成为了众多应用场合的理想选择。无论是在消费电子还是工业领域,该器件均能够提供可靠的性能和优秀的能效,满足现代电子设计的多样化需求。

其广泛的适用性与优越的性能特征,使得 DMN2005K-7 成为设计师和工程师在追求高效、节能和高可靠性的电子设计中不可或缺的元器件之一。