类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,3.9A |
功率(Pd) | 2.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述
SI4559ADY-T1-GE3是由VISHAY(威世半导体)制造的一款高性能场效应管(MOSFET),它设计用于高效能的电源管理和开关应用。该器件采用表面贴装(SMD)技术,以其紧凑的8-SO封装形式,在空间受限的电子设备中具有显著优势。作为一种逻辑电平MOSFET,SI4559ADY-T1-GE3能够在较低的栅极驱动电压下工作,适合于各类数字电路和电源管理应用。
主要参数
导通电阻 (Rds(on)):在4.3A和10V的条件下,最大导通电阻为58毫欧,这使得SI4559ADY-T1-GE3在导通时的功耗非常低,能够有效提高整机的能效并降低热损耗。
连续漏极电流 (Id):N沟道和P沟道的最大连续漏极电流分别为5.3A和3.9A,能够满足大多数电源管理电路的需求。
漏源电压 (Vds):最大漏源电压为60V,能在较高电压下稳定运行,适用于多种电源方案。
工作温度范围:器件可以在-55°C至150°C的环境温度下工作,适合于恶劣环境下的应用,例如汽车电子和工业控制。
输入电容 (Ciss):在15V下,最大输入电容为665pF,这表明该MOSFET具有较快的开关速度,适合高频开关应用。
栅极电荷 (Qg):在10V的条件下,最大栅极电荷为20nC,这确保了低栅极驱动功耗,便于与微控制器或数字逻辑电路配合使用。
开启电压 (Vgs(th)):在250µA的条件下,Vgs(th)最大值为3V。这一特性使得SI4559ADY-T1-GE3能够在较低的栅极电压下导通,有效降低了电源起动时的功耗。
应用领域
SI4559ADY-T1-GE3适用于多种电子设备的电源管理方案,包括但不限于:
总结
SI4559ADY-T1-GE3是一款功能强大、效率高的场效应管,凭借其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,成为众多电子供电方案的理想选择。对于设计工程师来说,此器件不只是一种功能元件,更是系统整体性能优化的关键。无论是在消费电子、通讯设备、汽车电子,还是工业控制领域,SI4559ADY-T1-GE3都能提供可靠的解决方案,助力各类应用实现高效能和低功耗。