SI4559ADY-T1-GE3
SI4559ADY-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,3.9A |
| 功率(Pd) | 2.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4559ADY-T1-GE3手册
SI4559ADY-T1-GE3概述
SI4559ADY-T1-GE3 产品概述
概述
SI4559ADY-T1-GE3是由VISHAY（威世半导体）制造的一款高性能场效应管(MOSFET)，它设计用于高效能的电源管理和开关应用。该器件采用表面贴装（SMD）技术，以其紧凑的8-SO封装形式，在空间受限的电子设备中具有显著优势。作为一种逻辑电平MOSFET，SI4559ADY-T1-GE3能够在较低的栅极驱动电压下工作，适合于各类数字电路和电源管理应用。
主要参数
导通电阻 (Rds(on))：在4.3A和10V的条件下，最大导通电阻为58毫欧，这使得SI4559ADY-T1-GE3在导通时的功耗非常低，能够有效提高整机的能效并降低热损耗。
连续漏极电流 (Id)：N沟道和P沟道的最大连续漏极电流分别为5.3A和3.9A，能够满足大多数电源管理电路的需求。
漏源电压 (Vds)：最大漏源电压为60V，能在较高电压下稳定运行，适用于多种电源方案。
工作温度范围：器件可以在-55°C至150°C的环境温度下工作，适合于恶劣环境下的应用，例如汽车电子和工业控制。
输入电容 (Ciss)：在15V下，最大输入电容为665pF，这表明该MOSFET具有较快的开关速度，适合高频开关应用。
栅极电荷 (Qg)：在10V的条件下，最大栅极电荷为20nC，这确保了低栅极驱动功耗，便于与微控制器或数字逻辑电路配合使用。
开启电压 (Vgs(th))：在250µA的条件下，Vgs(th)最大值为3V。这一特性使得SI4559ADY-T1-GE3能够在较低的栅极电压下导通，有效降低了电源起动时的功耗。
应用领域
SI4559ADY-T1-GE3适用于多种电子设备的电源管理方案，包括但不限于：
- 开关电源：用于DC-DC转换器的开关元件，在高效能和低热量散发方面表现出色。
- 电池管理系统：适合于电池充电和保护电路，提供稳定的电流和电压控制。
- LED驱动电路：由于其低导通电阻，能有效驱动LED，使其在照明应用中达到高效能和长寿命。
- 电机驱动：应用于驱动直流电机和步进电机，为其提供精准的控制和响应。
总结
SI4559ADY-T1-GE3是一款功能强大、效率高的场效应管，凭借其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，成为众多电子供电方案的理想选择。对于设计工程师来说，此器件不只是一种功能元件，更是系统整体性能优化的关键。无论是在消费电子、通讯设备、汽车电子，还是工业控制领域，SI4559ADY-T1-GE3都能提供可靠的解决方案，助力各类应用实现高效能和低功耗。