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PUMD3,115
- 商品编码： BM69413716复制
- 品牌： Nexperia(安世)复制
- 封装： TSSOP-6(SOT-363)复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.038g复制
- 描述： 数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置复制
PUMD3,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.8V |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.1V |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 电阻比率 | 1 |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
PUMD3,115手册
PUMD3,115概述
PUMD3,115 产品概述
产品背景
PUMD3,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的数字晶体管，特别设计用于需要高效能和小型化的电路应用。该产品集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，采用预偏压式设计，适用于各种数字信号和模拟信号的开关功能。结合其高额定功率和全面的电气性能指标，PUMD3,115 成为现代电子设备中不可或缺的元件。
主要规格
- 额定功率：300mW
- 集电极电流 (Ic)：最高可达 100mA
- 集射极击穿电压 (Vce)：最大 50V
- 增益 (hFE)：在特定条件下 (30 @ 5mA, 5V)
- 饱和压降 (Vce Saturation)：最大值 150mV @ 500µA, 10mA
- 集电极截止电流：最大 1µA
- 安装类型：表面贴装型 (SMD)
- 封装类型：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
设计特点
PUMD3,115 的设计以其低功耗、高效能、紧凑化为目的，其高达 300 mW 的功率处理能力和 50V 的击穿电压为其在多种应用中提供了卓越的灵活性。这款数字晶体管采用 SOT-363 封装，尺寸小巧，使其能够适应空间有限的电路板布局，适合各种现代便携式设备。
应用场景
PUMD3,115 的应用范围非常广泛，适用于以下几个主要领域：
消费者电子：由于其良好的开关性能和小型化设计，适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
工业控制：在需要信号放大和处理的工业设备中，PUMD3,115 能够有效进行开关操作并提供稳定的性能。
电源管理：在电源监测和调节电路中，该晶体管方能有效控制功率流动，保障设备的安全和稳定运行。
信号处理：其低输入与输出电压特性使其成为一些模拟信号处理电路的理想选择。
操作指南及推荐配置
当使用 PUMD3,115 时，推荐采用以下基础电路配置：
- 基极电阻（R1）：10kΩ，确保晶体管能够快速切换并降低功耗。
- 发射极电阻（R2）：同样为10kΩ，流量控制并降低发射极的噪声。
在不同的工作条件下，确保电流（Ic）和电压（Vce）在安全范围内，以避免设备过载和故障。
结论
PUMD3,115 是一款综合性能优越、适应性强的小型数字晶体管。其高效能、优良的电气性能以及紧凑的封装设计，使其在现代电子设备中扮演着重要角色。无论是在消费者电子设备还是工业控制中，PUMD3,115 都能为设计师提供灵活、高效的解决方案，是高性能需求项目的理想选择。通过选择 PUMD3,115，设计师不仅能够优化电路设计，还能提高整个系统的可靠性与效率。