类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,0.7A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@1mA |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
BSP75GTA 是一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET),其设计理念旨在满足各种电子电路中对高效能和可靠性的需求。产品具有典型的低导通电阻和高温度稳定性,适用于广泛的应用领域,包括电源管理、负载开关、马达驱动和其他通用电子设备。
BSP75GTA 具有显著的低导通电阻特性,550 毫欧的典型导通电阻使其在高电流条件下的功率损耗极小,极大提高了系统的整体能效。产品的最大输出电流达到 1.6A,适用于各种负载的控制与驱动。这种 MOSFET 开关在低压和高电流工作的场景下表现尤为出色。
为确保电路在不同工作条件下的安全性,BSP75GTA 具备多重故障保护,包括:
BSP75GTA 设计为在广泛的工作温度范围内稳定工作,-40°C 到 150°C 的工作温度确保了在严苛环境下也能可靠工作。这使得 BSP75GTA 特别适合在高温或低温的工业领域使用,如汽车电子、航天设备和其他需要耐高温的应用环境。
BSP75GTA 采用 SOT-223 表面贴装封装,这种紧凑的封装形式方便在现代电子电路中进行高效的焊接和组装,提高了生产效率。TO-261-4 和 TO-261AA 是其标准的封装外壳,适合于自动化表面贴装设备。
BSP75GTA 可广泛应用于多种电源和开关控制场合,包括但不限于:
BSP75GTA 是一款性能卓越且设计合理的 N 沟道 MOSFET,凭借其低电阻、高电流能力和丰富的保护特性,能够在各种应用中提供出色的性能。其宽广的工作温度范围和表面贴装设计为用户在不同的环境下和生产条件下提供了便利,适合于现代电子产品的需求。